欧美IDM「Grid to Core」抢AI商机 臺厂功率模塊化升级成挑战數據中心加速转向800V HVDC和高密度DC-DC等供电架构,提高功率元件的耐压与转换效率要求,带动高耐压、低损耗与高频操作碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)需求。如英飞凌(Infineon)、意法半导体(STM)和安森美(Onsemi)国际大厂采取「Grid to
DB HiTek首创8吋1,200V SiC一站式制程 目标2027年量产韓國晶圆代工厂DB HiTek完成碳化矽(SiC)产品在8吋晶圆上生产所需的制程技术验证,以此确保可稳定生产耐受1,200V级高电压的SiC功率半导体,并计划2027年进入量产。综合韩媒韩联社、Herald经济等报导,DB HiTek日前宣布,以8吋晶圆为基础的1,200V SiC
GF获美商务部3.75亿美元补助 加速布建本土量子芯片生态系格罗方德(GlobalFoundries;GF)8日宣布,已与美国商务部芯片研究与开发办公室(CHIPS Research and Development Office)达成最终协议,获得3.75亿美元研发补助资金,用以加速推展GF量子技术解决方案