SK海力士CDO:2027年1月确定HBF最终规格 3D DRAM成AI时代关键SK海力士(SK Hynix)开发长(CDO)安炫日前于韓國半导体展(SEDEX 2026)发表主题演说,强调随著AI推论需求快速成长,仅提高高帶寬存儲器(HBM)性能,已不足以解决系统瓶颈。公司正加快高帶寬快闪存儲器(HBF)开发,并将3D
GAA、背面供电到3D DRAM 应材揭材料工程成先进制程关键AI芯片的晶體管数量与配线层数持续攀升,材料与制程整合的难度同步提高。应用材料(Applied Materials)半导体产品事业群总裁Prabu Raja在全球投资会议上,说明GAA、背面供电、DRAM与高帶寬存儲器(HBM)等领域的技术挑战与设备商机。Prabu