詹益仁
乾坤科技技术长
曾任中央大学电机系教授及系主任，后担任工研院电子光电所副所长及所长，2013年起投身产业界，曾担任汉民科技策略长、汉磊科技总经理及汉磊投资控股公司CEO。
二维材料在次納米晶體管的应用
在科技部所楬橥的《A時代前瞻半导体技术专案計劃》，其宗旨在于为下一个時代半导体产业所需的相关技术，由学术界领军做超前部署。下一个時代的半导体技术势必将进入了次納米等级(Angstrom；埃)，也就是原子的尺度。此专案計劃其中一个重点，就是开发二维材料为导电通道层(channel)的晶體管。
2022-02-14
AR眼镜是否会取代智能手機？
元宇宙(Metaverse)是近来最发烧的话题，最近很多公司的产品或技术都特别强调跟元宇宙有密切的关联，以吸引投资者的目光。在元宇宙虚实整合的世界里，无疑地增实境(AR)与虚拟实境(VR)，是最早新创的两个平臺。AR与VR都是以眼部穿戴式装置为主要诉求，而AR是可移動的，VR比较静态。也因此衍生出更进一步的讨论：AR眼镜未来有可能取代智能手機，而VR会取代NB！在科技的国度里，坦白说唯一不会缺少的就是话题了。
2022-01-19
电流大战续集—爱迪生、西屋以及Tesla
在电学的世界里，大家耳熟能详是早期奠下基石的几位科学家，如库伦、伏特、安培、法拉第以及欧姆等，清一色的都来自于欧洲。但是随著在应用端的推展，以及美国在十九世纪后期国力的崛起，电学的发展以及在应用端重要的里程碑，也渐渐地由美洲大陆所取代。电影《电流大战》所描述的就是发生在美国本土，主导电力系统中，直流电与交流电间的论战。直流电是由爱迪生所领军，而西屋则是交流电的拥护者。特斯拉则因为卓越的技术能力，在两者间扮演关键的角色。
2021-12-28
如果你年轻的时候去过巴黎
海明威(Ernest Hemingway)在年轻的时候在巴黎待过一段时间，当时他只是位给报社及杂志写专栏的作家，生活拮据靠微薄的稿费维生，但是却得以在咖啡厅或小酒馆，与艺文界的朋友高谈阔论，逛遍巴黎各博物馆及美术馆。领到稿费可以打个牙祭或小小赌个赛马，因此海明威心目中的巴黎，是一辈子跟著他，且可以带著走的飨宴(A Moveable Feast)。
2021-12-07
6G、低轨道卫星与太赫兹通讯
当5G的战火还在方兴未艾之际，6G或称为B5G(beyond 5G)的烟硝味已逐渐蔓延中。6G目前还是处在一个非常具有想像力的国度里，各类不同的需求及解决方案不断地在探讨中。6G目前主要的诉求在于，比5G更高的传输速率及更低的延迟，另外一个重点就在于全球涵盖，包括人烟罕至的地表及海洋。为了全球涵盖，已经在进行中的低轨道卫星通讯，将必然纳入6G的范围，这包括可重复使用的火箭载具及结合太空旅行，俨然已形成一股庞大的商业势力在逐步推动中。
2021-12-01
臺湾碳化矽半导体产业的序曲与乐章
日前庄衍松兄在《电子时报》专文中，谈到了臺湾碳化矽(SiC)半导体的发展历程，文中提到在工研院以及瀚薪科技在早期所扮演的角色。瀚薪在2020年初已经转往中国发展，受到国人高度的关注，由于个人在早期不论在工研院、瀚薪，甚至后来的汉磊，都参与并催生了其在碳化矽半导体的研发及制造，因此觉得有必要将当时的时空，以及决策考量做一个说明。
2021-11-03
磷化铟：化合物半导体的下一张拼图
政府日前宣布了「南方雨林」計劃，预计在臺南沙仑建置首座化合物半导体产业专区，发展以应用于车用动力系统为主的半导体元件。化合物半导体由第二代的砷化镓(GaAs)，到第三代的碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)，甚至到所谓第四代的氧化镓(Ga2O3)，臺湾的产业确有相当的条件，在全球的舞臺上扮演重要的角色，甚至成为未来的护国群山之一。
2021-10-06
科技产业的隔代创新
创新是科技业生存的不二法门，然而从创新的想法到实际技术及产品的开发，却需要投入及耗费掉相当的资源，因此持续的创新就不见得符合经济上的效益。再加上为了满足应用上的需求，每隔一段时间就须开发出下一代的产品。为了在创新与效益上寻找出一个平衡点，因此科技业就演进出了隔代创新的商业模式。而新一代的创新技术，通常也会有相当的余裕，可以继续使用在下一代的产品上。
2021-09-13
亚马逊的「6页」创新
亚马逊(Amazon)創始人贝佐斯(Jeff Bezos)在2004年，就禁止公司内的简报或提案使用Powerpoint，改为6页的书面备忘录。而会议是以30分钟的无声会议当作开场，每个人都得认真的研读这6页的备忘录，提案内容要涵盖新服务的机制，提供客户及供应商的价值，以及相关财务、收益预测，还有风险及退场时机等。然后再开始讨论，通过后就会给一笔预算，开始招兵买马，建立新创团队。同时备忘录不会列出撰写者的名字，因为这一定是团队合作的结果。
2021-08-11
第四代半导体：氧化镓
最近氧化镓半导体被讨论的热度是非常高，还有人称之为第四代半导体，有别于第一代的矽(Si)，第二代的砷化镓(GaAs)及磷化铟(InP)，第三代的碳化矽(SiC)及氮化镓 (GaN)，究其因除了本身具有宽能隙 (wide bandgap)的特性外，另外很重要的一点就是，氧化镓半导体在技术上，可以使用传统单晶成长的方式，制作出直径6英吋的晶柱(ingot)，这是在第三代半导体中所无法实现的，这对于未来不论就成本以及元件特性，都有著莫大的助益。
2021-07-29
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