美光推出业界首款可增加服务器存储器容量和提升性能的LRDIMM

美光科技宣布推出业界首款DDR3低负载双列直插存储器模块(LRDIMM)，透过减少服务器存储器汇流排上的负载，LRDIMM可用以支持更高的数据频率并使存储器容量显着增加。

新的LRDIMM将采用美光先进的1.35v 2Gb 50nmDDR3存储器芯片制造，2Gb 50nmDDR3具有高密度及领先业界的小尺寸之特性，而能轻松增加服务器模块的容量，并符合成本效益。目前多数中端企业服务器每系统使用约32GB的DRAM存储器，但根据Gartner近期的一份报告指出，此数字于2012年将增长至三倍以上，对存储器的要求将达到前所未有的高度，即希望藉由增加服务器系统的可用存储器，使系统可同时执行更多程序、更有效地处理庞大的数据档案，并呈现出更好的整体系统性能。

美光LRDIMM使用Inphi近期推出的隔离存储器缓冲(iMB)芯片而非暂存器，能减少存储器及处理器传输数据时的汇流排负载。相较于目前标准的DDR3服务器模块RDIMM，美光的双排LRDIMM模块能减少负载达50%，四排模块更可减少75%的负载。透过减少汇流排负载，美光的LRDIMM使服务器能处理更高的数据频率，从而提升整体系统性能，并可支持更多的模块数量，以获得更大的系统存储器容量。

目前所使用的RDIMM典型服务器系统，每个处理器最多可容纳3个四排16GB RDIMM模块，但同样的系统却能支持9个四排16GB LRDIMM，使存储器容量从48GB增加到144GB，并且能增加系统存储器带宽达57%。由于服务器功耗仍是客户的首要考量，因此美光的LRDIMM也将以业界最低的1.35伏电压运作。

美光市场行销副总裁Robert Feurle表示，随着虚拟化的兴起，新的16GB模块能使客户更方便地扩大存储器容量。传统的RDIMM由于其负载状况限制了可容纳的存储器数量，LRDIMM则透过减少模块负载而消除了该问题。由于LRDIMM采用美光新低功耗2Gb 50nmDDR3芯片，可减少模块芯片数量，因此能提供客户以更具成本效益、更有效率的方法，来提高服务器存储器的容量和性能，同时还能降低功耗水准。