意法半导体推出世界首款驱动与GaN整合式产品

意法半导体推出世界首款驱动与GaN整合式产品，开创更小、更快之充电器电源时代。

意法半导体(ST)推出世界首款嵌入矽基半桥驱动芯片和一对氮化镓(GaN)晶体管的产品平台。该整合化解决方案将有助于加速最高400W之下一代轻量节能消费性电子、工业充电器，以及电源转接器的开发速度。

GaN技术使电力装置能够处理更大功率，同时装置本身将变得更小、更轻，而且更节能。这些改良将会改变智能手机超快充电器和无线充电器、PC和游戏机的USB PD高功率配置转接器，以及太阳能储电系统、不断电供应系统或高端OLED电视机，还有云端服务器等工业应用。

在目前的GaN市场上，功率晶体管和驱动IC通常是离散元件，这使设计人员必须学习两者间的协同作业，以达到最佳效能。意法半导体的MasterGaN绕过了这一挑战，缩短了产品上市时间，并获得预期的效能，同时使封装变得更小、更简单、电路元件更少，而且系统变得可靠性更高。透过GaN技术和意法半导体整合式产品的优势，采用新产品的充电器和转接器将相较普通矽基解决方案尺寸缩减80%，重量亦降低了70%。

意法半导体执行副总裁、类比产品分部总经理Matteo Lo Presti表示，「ST独有的MasterGaN产品平台透过我们经过市场检验的专业知识和设计能力，再整合高压智能功率BCD制程与GaN技术而成，能够加速开发兼具节省空间、高效能的产品。」

MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品，其整合两个半桥配置的GaN功率晶体管和半桥驱动芯片。MasterGaN1现已量产，采用9mm x 9mm GQFN封装，厚度仅1mm。意法半导体还提供一个产品评估板，为客户快速启动电源产品专案。