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EPC最新推出100 V eGaN FET产品

  • 吴冠仪/台北

新一代100 V氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D类音讯放大器、汽车信息娱乐及光达系统的理想功率元件。

增强型矽基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和IC的宜普电源转换公司(EPC)新推出的两款100 V eGaN FET(EPC2218及EPC2204),效能更高且成本更低,可立即供货。采用这些先进氮化镓元件的应用非常广,包括同步整流器、D类音讯放大器、汽车信息娱乐系统、DC/DC转换器(硬开关和谐振式)和面向全自动驾驶车辆、机器人及无人机的光达系统。

EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)与EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的导通电阻降低了接近20%及提高了额定直流功率。与基准矽元件相比,这两款氮化镓元件的效能更高。

EPC2204的导通电阻降低了25%,但尺寸却缩小了3倍。 与基准矽MOSFET元件相比,其闸极电荷(QG)小超过50%,并且与所有eGaN FET一样,没有反向恢复电荷(QRR),从而使得D类音讯放大器可以实现更低的失真和更高效的同步整流器和马达控制器。

EPC首席执行长兼共同创办人Alex Lidow表示,最新一代且效能优越的100 V eGaN FET的价格更高。但这些最先进的100 V晶体管的价格与等效老化元件相近。宜普公司为设计工程师提供的氮化镓元件的优势是效能更高、尺寸更小、散热效率更高且成本相近。氮化镓元件正在加速替代功率MOSFET元件。