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氮化镓及矽FET在主动钳位反驰式电源转换器之比较

  • 李佳玲/台北

TI日前推出热门培训课程「应用氮化镓(GaN-)及矽(Si-)场效应晶体管(FET)在主动钳位反驰式电源转换器之比较与设计考量」系列课程,「应用氮化镓(GaN-)及矽(Si-)场效应晶体管(FET)在主动钳位反驰式电源转换器之比较与设计考量-1」该课程解说 PCF、ACF 和3-Level LLC三者间的差别,包含:电压、开关损耗、开关频率间的影响和限制...等。另外,更详细的介绍 ACF中各式不同的操作区域和接口。

「应用氮化镓(GaN-)及矽(Si-)场效应晶体管(FET)在主动钳位反驰式电源转换器之比较与设计考量-2」本段落介绍负载共享设计驱动电容器需要考虑的事情:稳定用输出串联隔离电阻、稳定用输入 De-Q 电阻、输出补偿电压引起的失配电流、电阻性负载的电力流失。

「应用氮化镓(GaN-)及矽(Si-)场效应晶体管(FET)在主动钳位反驰式电源转换器之比较与设计考量-3」本段落介绍负载共享设计驱动电容器需要考虑的事情:电阻性负载的电力流失、在有无散热器下的热性能表现。关于上述课程详细,请至TI在线培训查询。