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意法半导体收购氮化镓创新企业Exagan之多数股权

  • 赖品如/台北

意法半导体(ST)已签署收购法国氮化镓(GaN)创新企业Exagan多数股权的购并协议。Exagan的磊晶制程、产品研发和应用经验将拓展并推动意法半导体之车用、工业和消费性功率GaN的研发和业务。Exagan将继续执行现有产品规划,意法半导体则将为其部署产品提供支持。

意法半导体总裁暨执行长Jean-Marc Chery表示,「意法半导体的碳化硅发展布局具备强大的动能,现在我们正扩大对另一种前景看好之复合材料-氮化镓的投入,以促进车用、工业和消费性市场客户采用GaN功率产品。收购Exagan的多数股权可强化公司在全球功率半导体市场的领先地位,同时也是我们对于GaN长远规划、生态系统和业务向前迈出的另一步。这是目前与CEA-Leti在法国图尔的开发专案,还有近期宣布与台积电合作专案的另个成果。」

氮化镓(GaN)属于宽带隙(Wide Bandgap,WBG)材料家族,其中包括碳化硅。GaN基板材料是高频功率电子元产业的一大进步,其效能和功率密度优于矽基晶体管, GaN基板元件节能省电、缩减系统大小。GaN元件适合各种应用,例如,服务器、电信和工业用功率因数校正和DC/DC转换器;电动汽车车载充电器和车规DC-DC转换器,以及电源适配器等个人电子应用。

前瞻性陈述风险警示

1995年私人证券诉讼改革法案安全港声明:上文所述的任何非历史事实陈述均为前瞻性陈述,包括有关我们未来经营业绩和财务状况、商业策略、未来经营计画和目标之任何陈述,涉及可能导致实际结果与前瞻性陈述之间出现重大差异的风险和不确定性因素。这些陈述仅为预测,其反映了当前对未来事件的看法和预测,且以假设为前提,受风险和不确定性因素的影响,随时可能发生变化。

潜在风险和不确定性因素包括但不限于以下因素:交易未完成的可能性,包括任何先决条件所导致的交易失败;可能无法完成收购预期收益的风险;收购后难以挽留Exagan员工;设施扩建、制程和专业知识移转困难;迫使管理阶层无法管理企业的风险;以及我们不时在送交给美国证交所之文档中详细说明与我们的产业和业务相关的竞争影响,还有其它风险因素。