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旺宏电子总经理卢志远博士荣获2020 TWAS院士

  • 陈毅斌/台北

旺宏电子总经理卢志远博士近日获选为「世界科学院」(The World Academy of Sciences;TWAS)2020年新任院士,以表彰他在半导体物理与元件技术的卓越贡献。卢志远博士获选TWAS「工程科学」(Engineering Sciences)学门院士。TWAS认为卢志远博士在半导体元件物理、IC制程开发及集成技术方面,皆有开创性的科学创新及杰出的技术贡献。尤其,卢博士更是一位创新的高科技企业家和半导体产业的杰出领导者。

卢志远博士2014年即曾获得TWAS推选为「工程科学」奖得主。他长期投身于科技创新及尖端研发,不但是位杰出科研专家,且又能具体实践应用。早于1980年代中期,他于美国AT&T Bell Labs领导研究计画时,即曾研发高达600V之BCDMOS IC技术,为当时业界最高伏的技术;1987年,他也是全球首位于IEDM发表技术论文探讨DRAM最诡谲的可靠性问题,促使业界大幅提升DRAM可靠度;之后领导研发0.6微米CMOS第六代Twin-tub制程技术,部分技术理论迄今仍被广泛引用,带动半导体产业今日的蓬勃发展。

1989年,卢博士受邀回台出任工研院电子所副所长,带领工研院团队执行台湾最大科专计画—次微米计画,让台湾具备8寸晶圆产制能力,成功将台湾推向世界高科技舞台。次微米计画之后衍生成立世界先进公司,成为催化台湾存储器产业的重要推手。1999年,卢博士加入旺宏电子,专注非挥发性存储器前瞻技术研发,带领旺宏研发团队持续在国际重要学术会议如IEDM、ISSCC、VLSI等发表多项次世代存储器的先驱技术。而他创办的欣铨科技,证实晶圆级测试为可行的商业模式,更成为尖端半导体生产过程中不可或缺的一环,也获得美国哈佛大学商学院(HBS)纳为推广教案。

卢志远博士浸润半导体界超过30年,积极钻研电子元件及材料科技,发表超过500篇学术及技术论文,更拥有160余项国际专利。由于对半导体界的贡献良多,卢博士获得许多国内外奖项及荣耀肯定,包括美国电机电子学会IEEE千禧杰出奖章、潘文渊文教基金会研究杰出奖、有科技研发工程师界奥斯卡奖之称的IEEE Frederik Philips Award,及国家最高荣誉科学研究奖项总统科学奖等,更获得美国物理学会APS Fellow、IEEE Fellow、中华民国科技管理学会院士、工研院院士、中研院院士、台大杰出校友、交大名誉博士等荣衔。

TWAS成立于1983年,旨在协助发展中国家从事科学研究与开发应用,成员涵盖发展中国家之杰出科学家,今年12月选出36位2020年新任院士,除了卢博士,中研院院长廖俊智也同时获选为院士。当选该科学院院士或获颁相关奖项,不仅代表学者个人的成就,更代表所属国家对于全球推展科学之持续关怀与付出。