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英飞凌推出TO-247封装版本

  • 魏于宁

继推出EconoDUAL和Easy封装的TRENCHSTOP IGBT7技术之后,英飞凌近日再推出领先业界,基于分立式封装,崩溃电压为650 V的TO-247封装版本。

最新的TRENCHSTOP系列产品组合包含 20 A、30 A、40 A、50 A和75 A等级的额定电流,既可用于取代前代技术,也能与前代技术并行使用。该版本的IGBT7尤其适用于工业马达驱动、功率因数校正、太阳能光电和不断电系统等应用。

由于采用新型围沟槽技术,TRENCHSTOP IGBT7芯片的静态损耗大幅降低。在相同的电流等级下,TRENCHSTOP IGBT7的导通电压可降低10%。IGBT T7技术具有非常低的饱和电压(VCE(sat)),并与第 7 代射极控制二极管(EC7)共同封装,正向电压(VF)可降低150 mV,同时还能提高反向恢复柔性。

由于采用新型围沟槽技术,TRENCHSTOP IGBT7芯片的静态损耗大幅降低。在相同的电流等级下,TRENCHSTOP IGBT7的导通电压可降低10%。这使应用的损耗大幅降低,尤其是通常在中等开关频率下运行的工业驱动应用等。IGBT T7技术具有非常低的饱和电压 (VCE(sat)),并与第7代射极控制二极管(EC7)共同封装,正向电压(VF)可降低150 mV,同时还能提高反向恢复柔性。

本装置具有优异的可控性和卓越的EMI效能,能针对应用轻松调整,以提供最佳的dv/dt和切换耗损的最佳比率。650V TRENCHSTOP IGBT7能为应用提供所需的抗短路能力。此外,装置已通过JEDEC标准的HV-H3TRB(高压、高湿及高温的反向偏压)测试,证明该装置在常见工业应用的高湿度环境中具有良好的耐用性。