ASMPT探索新一代宽频隙(WBG)半导体设备

ASM 先进太平洋的功率半导体器件解决方案。

在日常生活中，(Power Semiconductor)如智能手机，家用电器、医疗保健设备、电脑、网络、数据中心、汽车、高铁等产品中，都扮演着非常重要的角色。过往会以Si、GaAs、InP和其他物料用作第一代和第二代的半导体生产，随着科技发展渐趋成熟，这技术已经广泛应用于不同器件中，例如Si MOSFET、IGBT、功率放大器和RF应用等等。可是，每种技术都会有其局限性。具有宽频隙(Wide-Band Gap ; WBG)特性的物料，包括SiC和GaN，则比上代更上一层，提供了以下额外的性能：

1.更高的电流密度；2.较宽的工作温度范围；3.更快的切换性能；4.较低的导通电阻(RdsON)；5.在高频运行时更少的开关损耗。由于WBG的特性比以往半导体物料优胜，在不久的将来，SiC和GaN将会比Si更受欢迎，成为新一代的功率半导体的物料。

然而，新物料的介入对WBG器件组装有着不同的要求，令制造商需要面临各种挑战︰
1. 晶圆切割制程：刀片VS雷射切割
2. 固晶制程：脆晶和／或薄晶处理
3. 新制程：高银比环氧划胶 (High Silver Epoxy)／锡膏(Solder Paste)VS烧结膏 (Sintering)／薄膜 (Film Handling)
4. 焊线制程：需要处理线径范围更大 (3 - 25 mil)
5. 温度控制及配备更佳的空洞控制(void control)
6. 还有更多 ……。

为了打破这些挑战，制造商必须与物料及设备供应商合作，实现低损耗、低电感、高功率密度、高散热性能、高整合度和多功能开发的功率器件模块及封装制程。经验丰富的高端设备供应商—ASM先进太平洋有限公司，掌握各方面的制程知识，从科研、产品及制程开发到售后服务，ASM先进太平洋都能提供一站式的功率半导体器件解决方案，从而节省客户的开发时间和成本。

未来，半导体产业仍充满着不同的挑战和机遇，ASM先进太平洋会继续利用多年累积的经验及其独有的一站式解决方案，加深与客户的合作关系，开拓数码化世界。