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英飞凌推出分离式CoolSiC MOSFET模块化评估平台

  • 赖品如台北

双脉冲测试是设计人员要了解功率装置切换特性的标准程序。为方便测试1200V CoolSiC MOSFET采用TO247 3针脚和4针脚封装的驱动选项,英飞凌科技推出模块化评估平台,其核心包含一个主板与可互换的驱动器卡板,驱动器选项包括米勒钳制和双极供电卡;其它版本将于近期内推出。该产品系列有助于推动碳化硅成为主流,缩短多种应用的上市时程。

评估平台的主板分为一次侧和二次侧两个区块。一次侧含12V供电及脉冲宽度调变二次侧为驱动器的第二供电来源,以及包含用于测量电流和外部电感分流连接的半桥。驱动器的正操作电压调整范围介于+7.5至+20V之间,负电压介于+1V~-4.5V。主板设计的最高电压为800V,最大脉冲电流为130A。如要测量到最高175°C的温度,可将散热器搭配加热元件使用。

该主板设计的最高电压为800 V,最大脉冲电流为130 A。如要测量到最高175°C的温度,可将散热器搭配加热元件使用。

驱动器卡板采用EiceDRIVER系列的驱动器IC,适合SiC功率装置的高频切换,可提供两种驱动器选项的参考设计。第1个模块化驱动器卡板内含1EDC Compact 1EDC20I12MH,集成主动米勒钳制,启动电压通常低于2V。第二个驱动器卡板内含1EDC Compact 1EDC60H12AH,可提供双极供电,VCC2为+15 V,GND2为负电压。本产品系列新添这两款驱动器卡板后,将涵盖设计人员在设计SiC MOSFET驱动时偏好使用的绝大多数选项。