尼克森微电子推出MOSFET全新封装元件PowerFET

尼克森微电子新时代PowerFET

为提高电脑的运算力，新一代的CPU整合更多的元件，带来了更杰出的效能，但CPU对功耗的需求也相对提高，而必需使用更多与更优异的功率元件来支持。

随着电源需求增加，在空间不能增加的前提下，供应商只能在提升功率元件的功率密度与效能上努力。针对此需求功率元件大厂尼克森微电子(NIKO)特别推出全新封装技术的PowerFET系列产品，此系列产品仅使用3x3 mm²大小的封装，能将芯片直接和特殊封装外壳连接，藉由金属外壳增加散热面积并缩短散热之路径，大幅提升热散逸的能力；同时，因将芯片直接和封装外壳作连接，也大大的降低传统封装打线(Wire Bonding)所必然产生的打线阻抗。

另外在此PowerFET系列产品的芯片设计上，搭配使用新一代Low Gate Charge 结构元件制程技术，除了有更优异的芯片导通阻抗(R_DS(ON))外，在动态参数上也获得改善，可有效降低交换损失(Switching Loss)，提升电源的转换效率。

整体而言，PowerFET和传统的DFN5x6封装比较，封装面积降低约70%，厚度降到0.5 mm，导通阻抗减少10%~30%以及显着地减低从接面到外壳顶部的热阻，有效降低MOSFET的表面温度。

PowerFET 为尼克森微电子(NIKO)为了因应更为严苛的应用需求所开发的新一代功率元件，具优异的温度散逸能力与低导通阻抗等电气特性，符合目前各种电源应用及多数未来的电路系统设计需求。本系列产品已经自2018年下半开始量产供货，因具备优异的特性与良好的性价比，受到不少客户的青睐，目前正积极寻求产能的扩充，以满足市场的需求。更多信息请参见官网。