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尼克森微电子推出MOSFET全新封装元件PowerFET

  • 林仁钧

尼克森微电子新世代PowerFET

为提高计算机的运算力,新一代的CPU集成更多的元件,带来了更杰出的效能,但CPU对功耗的需求也相对提高,而必需使用更多与更优异的功率元件来支持。

随著电源需求增加,在空间不能增加的前提下,供应商只能在提升功率元件的功率密度与效能上努力。针对此需求功率元件大厂尼克森微电子(NIKO)特别推出全新封装技术的PowerFET系列产品,此系列产品仅使用3x3 mm2大小的封装,能将芯片直接和特殊封装外壳连接,藉由金属外壳增加散热面积并缩短散热之路径,大幅提升热散逸的能力;同时,因将芯片直接和封装外壳作连接,也大大的降低传统封装打线(Wire Bonding)所必然产生的打线阻抗。

另外在此PowerFET系列产品的芯片设计上,搭配使用新一代Low Gate Charge 结构元件制程技术,除了有更优异的芯片导通阻抗(RDS(ON))外,在动态参数上也获得改善,可有效降低交换损失(Switching Loss),提升电源的转换效率。

整体而言,PowerFET和传统的DFN5x6封装比较,封装面积降低约70%,厚度降到0.5 mm,导通阻抗减少10%~30%以及显著地减低从接面到外壳顶部的热阻,有效降低MOSFET的表面温度。

PowerFET 为尼克森微电子(NIKO)为了因应更为严苛的应用需求所开发的新一代功率元件,具优异的温度散逸能力与低导通阻抗等电气特性,符合目前各种电源应用及多数未来的电路系统设计需求。本系列产品已经自2018年下半开始量产供货,因具备优异的特性与良好的性价比,受到不少客户的青睐,目前正积极寻求产能的扩充,以满足市场的需求。更多讯息请参见官网