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ROHM推出4引脚封装SiC MOSFET系列

ROHM推出4引脚封装SiC MOSFET「SCT3xxx xR 系列」降低35%开关损耗有助实现低功耗应用。

半导体制造商ROHM推出6款沟槽闸结构SiC MOSFET「SCT3xxx xR 系列」产品(耐压650V/1200V),适用于有高效率需求的服务器电源、太阳能变流器及电动车充电站等应用。此次新研发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分发挥SiC MOSFET本身的高速开关效能。与传统3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可减少约35%,有助于大幅降低各类应用装置的功耗。另外ROHM也已开始供应SiC MOSFET评估板「P02SCT3040KR-EVK-001」,其内建适合驱动SiC元件的ROHM闸极驱动器IC(BM6101FV-C)、各类电源IC及离散式产品,是一款容易进行元件评估的解决方案。

近年来随著AI和IoT的发展,云端服务的需求日益增加的同时,全球对资料中心的需求也随之成长。资料中心所用的服务器正朝著大容量、高效能方向发展,因此降低功耗便成为必须面对的问题。另一方面,传统服务器的功率 转换电路中,主要是采用矽(Si)元件,但目前市场对损耗更低的SiC元件寄予更高的期望。尤其,与传统封装相比,采用TO-247-4L 封装的SiC MOSFET,可降低开关损耗,因此有望用于服务器、基地台、太阳能发电等高输出设备。既2015年ROHM领先全球成功量产沟槽闸结构SiC MOSFET后,此次开发出650V/1200V耐压的低损耗SiC MOSFET,未来也会在开发各种革新性元件的同时,推出适合SiC驱动的闸极驱动器IC解决方案,降低各类设备的功耗。

采用4引脚封装(TO-247-4L),开关损耗减少约35%

在传统的3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的电感成分易引起闸极电压下降,并延迟开关速度。本次SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L),可分离电源源极引脚和驱动器源极引脚,因此可减低电感成分的影响,充分发挥SiC MOSFET高速开关的效能,还且还能够大幅改善导通损耗。且与传统产品相比,导通损耗和关断损耗合计约可减少35%的损耗。


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