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ROHM推出3.5ms高速写入车电EEPROM

  • 陈毅斌台北

ROHM推出业界最快3.5ms高速写入、支持125度C工作的EEPROM「BR24H-5AC系列」

半导体制造商ROHM针对车电相机/传感器出厂设定、安全气囊弹出记录、以及需要长时间通电的FA装置和服务器数据记录系统等应用,研发出在严苛环境也可稳定储存/写入数据、且支持Inter-Integrated Circuits汇流排和125度C工作的EEPROM「BR24H-5AC系列」。

在车电和工控装置领域,由于安全性和可追溯性的管理需求,需要将运行数据记录在系统里的非挥发性存储器中。与非挥发性FLASH存储器相比,非挥发性EEPROM存储器在严苛环境下能够更稳定地保存和写入数据,因此,在车电和工控装置领域,常被用于车电相机、安全气囊、FA装置和服务器等对可靠性要求相对较高的应用中。

身为已有20多年EEPROM研发历史的半导体制造商,ROHM致力于研发具独创性且高可靠性的储存单元,并为客户提供高质量的产品,也在车电、工控装置和消费性电子产品各领域获得了高度好评。本次在支持Inter-Integrated Circuits汇流排的EEPROM中针对车电和工控装置推出的新系列产品,将有助减少出厂前的生产工时。

本次的EEPROM系列产品是采用ROHM独家数据写入/读取电路技术、不仅具备3.5ms(毫秒)的高速写入、且支持125度C工作。与普通产品5ms的写入速度相比,写入时间可以减少30%。例如,在电子装置的制造过程中,若以256Kbit将初始数据写入(512次写入处理)10万台产品,工厂生产线占用时间约可减少1天。

此外,普通产品保证的改写次数为100万次,而本系列产品则高达400万次,不仅有助延长电子装置的使用寿命,而且非常适用于必须频繁改写数据的记录装置。「BR24H-5AC系列」透过降低对储存单元特性方面的制造差异,并充分发挥存储器效能,采用独家数据写入/读取电路技术并有助提高系统效率。

「BR24H-5AC系列」为一款支持Inter-Integrated Circuits汇流排和125度C工作的EEPROM,具备了业界最快3.5ms(毫秒)的高速写入。与普通产品5ms的写入速度相比,写入时间可减少30%,因此有助减少电子装置出厂前的初始写入时间,并可以提高紧急数据记录系统的可靠性。例如,在电子装置的制造过程中,以256Kbit将初始数据写入10万台产品的情况下,与普通产品相比,工厂生产线占用时间约可减少1天(普通产品:5ms×10万台×512次=约71小时,新产品:3.5ms×10万台×512次=约50小时)。

本次EEPROM系列产品支持125度C工作,并且具备了业界高水平的400万次改写次数。与普通产品100万次的改写次数相比,本系列产品高出4倍,不仅有助延长电子装置的使用寿命,并且非常适用于必须频繁改写数据的相关应用。本系列产品为支持125度C工作的EEPROM,可支持1.7V低电压工作,因此不仅支持一般5V和3V相关应用,还支持免钥匙启动系统等需要靠电池驱动的1.8V低电压应用。

本系列产品符合汽车电子产品可靠性国际标准AEC-Q100,不仅支持高可靠性产品标准要求的125°C工作,所有系列产品均搭载了ECC(Error Check and Correction:错误检查订正)功能,在存储器出现偶发性故障时,具有保护重要数据的作用。另外由于采用标准的EEPROM引脚配置,常用的芯片封装和容量(研发中)产品系列也正在不断扩充,因此将可以轻易替换现有产品。