华邦QspiNAND Flash提升Qualcomm 9205平台竞争力

W25N512GW

全球半导体储存解决方案领导厂商华邦电子宣布推出拥有新功能的QspiNAND Flash，是专为Qualcomm 9205 LTE基带而设计的。华邦推出业界首创的1.8V 512Mb (64MB)QspiNAND Flash，为新型移动网络NB-IoT模块的设计人员提供正确的储存容量。

WebFeet Research总裁Alan Niebel表示，到了2020年，物联网的规模将成长到500亿个联网装置，未来几年Quad SPI-NAND的采用率可能会增加4~5倍，华邦的1.8V QspiNAND Flash相当适合汽车及IoT产业使用。NB-IoT已经蓄势待发，在全新的联网世界中茁壮成长，2023年之前出货量可望达到全球6亿8,500万个装置。

华邦电子美国分公司快闪存储器事业群行销部门总监Syed S. Hussain表示，华邦很荣幸能全心投入创新及产品差异化，设计出QspiNAND Flash KGD解决方案，并获得 Qualcomm Technologies采用在Qualcomm 9205 LTE主控芯片中。我们会持续与Qualcomm Technologies密切合作开发存储器元件，打造适合IoT应用的次时代LTE基带解决方案。

华邦立足于传统QSPI-NOR Flash，并进军QSPI-NAND Flash领域，客户可根据自身需求，自由选择编码储存元件，以最低成本扩充规模。使用相同的6针脚信号及QSPI 指令集提供SLC NAND Flash的大容量，并采用104MHz读取速度的全新的Continuous Read功能，效能毫不减损。

Qualcomm Europe Inc.产品管理副总裁Vieri Vanghi表示，Qualcomm Technologies已对华邦的QspiNAND Flash进行各种测试及验证，目前以堆叠KGD解决方案形式运用于Qualcomm 9205 LTE基带，让OEM客户能打造出外型极为精巧的系统。我们很荣幸能与华邦维持长久的合作关系，期望双方能继续共同提供顶尖的IoT技术解决方案。

W25N QspiNAND Flash系列装置采用节省空间的8针脚封装，以往的SLC NAND Flash无法做到这一点。W25N512GW为512Mb存储器，阵列分为32,768个可编程页面，每页面为2,112位元组。W25N512GW提供全新的Continuous Read模式，可利用单一读取指令高效存取整个存储器阵列，是编码映射(code shadowing)应用的理想选择。

104MHz的时脉速度，可在使用快速读取Dual/Quad I/O指令时，达到相当于416MHz(104MHz x 4)速度的Quad I/O效能。芯片内建不良区块管理功能，让NAND Flash更容易管理。

为满足全球对大容量解决方案持续成长的需求，华邦QspiNAND Flash在台湾台中的12寸晶圆厂进行制造。华邦正在扩展产能，以因应及确保支持汽车与IoT产业因全新业务带来的预期成长。

华邦快闪存储器技术总监J.W. Park表示，SpiFlash系列在加入QspiNAND Flash产品线后，有利于现有的QSPI-NOR Flash及Parallel NAND Flash转换为QspiNAND Flash。华邦与客户工程团队合作开发这款全新的512Mb QspiNAND Flash，在符合成本效益的设计原则下，同样提供优异的效能。1.8V QspiNAND Flash特色如下：

低功率且涵盖不同使用场景的工作温度 ：拥有1.75V~1.95V供电、工作电流25mA、待机电流10μA、深度省电(Deep Power Down)电流1μA、-40°C~+85°C工作温度(工规级)、-40°C~+105°C工作温度(工规进阶级与车规级)。

独特的存储器架构：能启用ECC时的页面读取时间只要60μs、页面写入时间只要250μs(标准值)、区块抹除时间只要2ms(标准值)、并能快速编程/抹除的效能、支持OTP存储器区域

高效能高可靠性的QspiNAND Flash：QSPI实作采用46nm制程技术，并且数据保持10年以上，支持最高每秒52MB的数据传输率

节省空间的封装：尺寸如下，WSON8 6x8mm、WSON8 5x6mm、TFBGA24 6x8mm、KGD(良裸晶粒)。

W25N512GW目前已上市。如需QspiNAND Flash特定详细信息，请联络官方网站。