DRAM厂停电事件

从2007年至今，DRAM产业共发生3次停电事件。第1次是三星电子(Samsung Electronics)在2007年8月器兴厂发生停电事件，持续21小时，估计有5~6条生产线受到影响，损失金额约在400亿~500亿韩元(约4,200~5,300万美元)间。

第2次是海力士(Hynix)在2008年5月在大陆无锡12寸晶圆厂发生停电，估计约4个小时，由于无锡厂约占海力士全球整体DRAM产量约46%，因此那次包含生产线停电导致芯片受损等成本，总共损失高达1,600万~1,800万美元。

第3次则是24日下午发生的三星停电事件。三星韩国器兴厂下午2:30发生停电，三星发言系统随即公开表示，因为有前车之监，在马上启动不断电系统(Uninterruptible Power System；UPS)之下，器兴厂已恢复正常运转，估计停电时间控制在1小时左右，因此造成的损失应不大，对相关产业影响应亦不大。

24日三星停电的厂房为Fab13和Fab14，此2座厂单月产能分别为12万片和13万片，生产DRAM和NAND Flash产品。目前Fab13和Fab14是三星在DRAM和NAND Flash上最大的生产基地。

其他受影响的产品还有非记忆半导体如LED等，因为三星LED公司向三星电子借调器兴第3条生产线进行生产，因此这次LED产能恐受到池鱼之殃。再者，也传出Fab7、Fab8、Fab9等3座生产LSI产品的厂房也有发生停电，但此部分三星并未公开说明。(连于慧)