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SiC具多重优势 有利电动车达轻量化、提升续航力、快速充电等目的

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第三代半导体材料SiC(碳化矽)较矽基半导体具有宽能隙、击穿电场强度大、电子饱和移动速度快等多重优势,然尚存在量产性低、成本高等问题,故优先导入耐高电压、高温及高频运作、节能要求高等利基市场。DIGITIMES Research认为SiC功率元件于电动车应用极具潜力...


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