三星3纳米GAA制程 MBCFET为技术亮点
- 蔡云瑄／综合报导
三星电子(Samsung Electronics)成功量产3纳米环绕式闸极(GAA)制程，同时也成功实现纳米片(nanosheet)结构的多桥通道场效晶体管(MBCFET)技术。事实上，MBCFET已超出外界预期的纳米线(nanowire)结构，跳级成功不仅显现...
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