电源产业弯道超车 学者：台厂不应单打独斗
- 庄衍松／台北
国内2021年发布「十四五规划」和「2035年远景目标纲要」，确定加速推动以碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。国内厂商认为第三代半导体材料或许是国内摆脱IC被动局面、实现弯道超车的机会。据...
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