QSAN X Western Digital NVMe快闪储存达成微秒等级延迟

QSAN的全快闪旗舰机种XF3126原生支持NVMe，提供微秒等级的延迟与高每秒读写。QSAN

随着硬盘技术的推陈出新，固态硬盘(SSD)已经蔚为盛行。QSAN(广盛科技)在2021年发表的在线年会中指出，这般趋势为储存设备带来储存与传输效能的跃进，解决传统设备上核心运算能力受限于延迟、每秒读写过低导致数据成长超出负荷等问题。

除了固态硬盘本身的特性以外，传输协定更成为各式复杂应用关注的焦点：除了常见SATA和SAS外，NVMe专为非挥发性储存开发，由于其优异的效能表现，对数据中心的重要性日益渐增。

QSAN的全快闪旗舰机种XF3126原生支持NVMe，提供微秒等级的延迟与高每秒读写，能够满足运算密集的企业应用环境对效能的需求。该产品专为企业及用户设计，能提供高效能、高可靠性、与弹性且简明易懂的管理系统。 NVMe更是市场上最能满足运算密集型应用需求的界面，尤其适合导入机器学习、边缘运算等环境。

NVMe带来的系统效能提升

在QSAN的原生NVMe全快闪阵列中搭配Western Digital Ultrastar DC SN840双埠NVMe固态硬盘，于实验中测得优异的效能结果。SN840是适用于数据中心的第三代高效能NVMe固态硬盘，建立在Digital的96层3D TLC NAND上，在U.2 2.5寸的规格上提供至多15.36TB的储存空间。

在RAID 5和RAID 6组态下，系统分别在随机读取达到 608K和616K每秒读写。在500微秒以下的极低延迟状态下，系统仍保持接近230K每秒读写的良好性能。

全快闪阵列的效能优势，在涉及奇偶校验时更显出色。在随机写入时，RAID 5和RAID 6组态的延迟均低于300微秒，而且两种组态都得以在毫秒以下的延迟达到了80K 以上的每秒读写。

和RAID 10相比，奇偶校验的运算并未会大幅拖累系统的整体效能，意即XF3126D 和 SN840的组合无须为了镜像硬盘而牺牲大量储存空间，并且在具备优异效能时能兼顾数据正确与安全。

全快闪平台特色

特色一：100% 双埠NVMe高密度储存系统。特色二：支持灵活的25GbE iSCSI 和 32Gb FC高速连接，最高可连接20个埠。特色三：500微秒下随机写入速度达450K IOPS；300微秒下随机写入速度达220K IOPS。

QSAN全快闪阵列和Western Digital固态硬盘的整合，为各种规模的组织提供新一代的高速储存解决方案，使各产业在最新科技的发展与整合皆能更进一步。全快闪装置的可靠度来自于处理巨量数据时确保的低延迟，因此全快闪储存不仅帮助了企业和组织加速运算环境，更是拥抱未来趋势的路上，不可或缺的基石。更多信息请参考。