意法半导体新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET提升效能

意法半导体新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET提升效能，大幅降低开关功率损耗。意法半导体

意法半导体(STMicroelectronics；ST；纽约证券交易所代码：STM)新推出之新超接面STPOWER MDmesh K6系列强化了几个关键参数，以降低系统的功率损失。特别适合返驰式拓扑为基础的照明应用，例如LED驱动器、HID灯，或是适用于电源适配器和平板显示器的电源。

意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列为这种超接面技术树立了兼具高效能和易用性的标准。MDmesh K6的导通阻抗x芯片面积参数优于市面上现有800V产品，能够实现结合高功率密度并领先市场效能的紧密全新设计。

此外，K6系列的闸极阈值电压相较上一代MDmesh K5更低，可使用更低的驱动电压，进而降低功耗并提升效能，主要用于待机零功耗的应用。总闸极电荷(Qg)极低，以实现高开关速度和低损耗。芯片上结合一个ESD保护二极管，将MOSFET的整体耐用性提升到人体放电模型(Human Body Model；HBM)2 级。

意大利固态照明创新企业TCI的技术长暨研发经理Luca Colombo表示，「我们已经测试评估了新的超接面高压MDmesh K6系列的样品，并注意到其出色的导通阻抗x芯片面积和总闸极电荷(Qg)效能。」采用TO-220通孔封装的是首批量产的MDmesh K6 MOSFET，ST eSTore网上商店现已提供免费样品。

DPAK和TO-220FP版本将于2022年1月前量产。意法半导体将于2022年前推出MDmesh K6的完整产品组合，将产品导通电阻的范围从0.22Ω扩大至4.5Ω，并增加一系列封装选择，包括SMD和通孔封装。更多信息，请造访官网。