意法半导体推出全新MDmesh MOSFET 提升功率密度与效能

意法半导体推出全新MDmesh MOSFET，提升功率密度与效能。意法半导体

服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM)新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲极功率MOSFET晶体管适用于设计数据中心服务器、5G基础建设、平面电视的交换式电源供应器(Switched-Mode Power Supply；SMPS)。

650V STP65N045M9与600V STP60N043DM9为首批上市的两款元件，其单位面积的导通电阻(R_DS(on))非常低，可以最大限度提升功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻(R_DS(on)max)皆领先同类产品，STP65N045M9为45mΩ，STP60N043DM9则为43mΩ。由于闸极电荷(Q_g)十分低，在400V汲极电压时的典型值为80nC，两款元件皆拥有目前市面上一流的R_DS(on)max x Q_g品质因数(FoM)。

STP65N045M9的闸极阈开启电压(V_GS(th))典型值为3.7V，STP60N043DM9的典型值则为4.0V，相较上一代的MDmesh M5和M6／DM6，可最大限度地降低开关损耗。MDmesh M9和DM9系列的反向恢复电荷(Q_rr)和反向恢复时间(t_rr)亦极低，有助于进一步提升效能和开关效能。

意法半导体最新高压MDmesh技术另一特点是增加铂扩散制程，确保体反应速度快的寄生二极管。该二极管恢复曲线(dv／DT)峰值高于早期制造技术。MDmesh DM9全系列产品皆具非常高的稳定性，在400V电压时可耐高达120V／ns的dv／dt曲线。

意法半导体新MDmesh M9和DM9产品STP65N045M9和STP60N043DM9均采用TO-220功率封装，现已量产，2022年第2季末将由代理商销售。2022年底前还将增加标准贴装和通孔封装。更多信息，请造访：www.st.com/mdmesh-m9与www.st.com/mdmesh-dm9。