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Lam Research以创新制程技术驱策半导体突破 成就新时代

  • 吴冠仪台北

Lam Research以创新制程技术驱策半导体突破,成就新时代。Lam Research
Lam Research以创新制程技术驱策半导体突破,成就新时代。Lam Research

过去数十年来,Lam Research挑战假设、打破常规。当科技发展越趋精密,我们更需宏观思考,不断地驱策半导体产业突破疆界,并开发出能使芯片制造商不断进展的解决方案。

半导体制造是一连串高度复杂叠代的过程。我们的客户面临巨大的技术挑战,需要专注在原子级微缩的创新技术来制造尺寸更小、堆叠层数更高以及效能更提升的原件。Lam Research提供业界领先的制程技术,如乾式光阻(Dry Resist)、选择性蚀刻(Selective Etch)和原子层沉积(ALD)来协助我们的客户解决难题。

随着领先的芯片制造商正把EUV微影系统投入大量生产之用,进一步的提高生产力和分辨率是必要的,才能以更具成本效益的方式微缩至未来的制程节点。Lam Research的乾式光阻和显影技术提供了独特的能力,让芯片制造商只需更改沉积和显影时间便可改变光阻剂厚度。透过实现更低的剂量和更高的分辨率,进而提高生产力并扩大曝光制程空间。

2020年9月Lam Research发表先进的Striker FE平台则是制造高深宽比芯片架构的新型制程解决方案。利用创新、同类产品首创的ICEFill技术,来填充3D NAND、DRAM和逻辑元件在先进制程节点的极端结构。

Striker FE平台的ICEFill专利表面改良技术,可实现更佳的从下而上、且无空隙的间隙填充,并保有ALD(原子层沉积)固有的薄膜品质,同时还可避免DRAM和逻辑元件的塌陷问题。

3D NAND元件的技术蓝图要求蚀刻深度能随着每个新时代的进展越来越深,因此需要提升蚀刻轮廓的均匀度。2021年1月Lam Research推出最新一代的介电层蚀刻技术 Vantex,这是专为现今市场上最智能的蚀刻平台Sense.i所设计。Vantex可控制蚀刻的垂直角度,以满足3D NAND元件特徵的严格放置要求,并在12寸晶圆上实现高良率。

本月,Lam Research更推出Syndion GP产品解决方案,提供深矽晶蚀刻功能,为汽车、电力输送和能源等产业开发下一代功率元件和电源管理芯片。Syndion GP可配置以8寸和12寸晶圆尺寸来制造元件,支持芯片制造商持续推动特殊制程技术的创新与突破。

以上这些技术解决方案都是为了解决芯片制造商的制造挑战,以实现先进逻辑和存储器元件的持续微缩。结合卓越的系统工程、技术的领先优势、基于价值的坚强文化,以及坚定不移的承诺,我们将助力客户,使其创新构想成为现实。

SEMICON Taiwan为半导体业界的年度盛事,本年度为白金级赞助商的Lam Research,很荣幸受邀至异质整合国际高峰论坛 (Heterogenous Integration Global Submit)、微机电暨传感器论坛(MEMS & Sensor Forum)、半导体先进制程科技论坛 (IC Forum )以及高科技智能制造论坛(Smart Manufacturing Forum)进行专题演讲,和业界先进共同关注半导体产业发展趋势以及展望未来科技。

2021年,Lam Research亦参与 Women-in-Tech 论坛,以科技女力为题,和STEM领域的优秀女性意见领袖,讨论并分享多元共融的观点和实务应用,借此鼓励更多女性从业人员投入科技产业,欢迎大家共襄盛举。


商情专辑-2021 SEMICON Taiwan