盛美前进边缘刻蚀领域 新品支持3D NAND、DRAM

盛美半导体设备日前公布的边缘湿法蚀刻设备，进一步拓宽了盛美湿法设备的涵盖面。该新设备使用湿法蚀刻方法来去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。

这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续制程步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了制程和产品结构。

盛美半导体设备董事长王晖表示，在IC制造制程里，特别是在3D NAND、DRAM和先进逻辑制程中，晶圆边缘剥离、杂质颗粒和残留物会导致晶圆边缘良率降低，现在这个问题的解决对于优化整体制程良率变得越来越重要。

盛美开发的边缘湿法蚀刻清洗设备可有效解决这种边缘良率降低的问题，这款新产品也把盛美在湿法制程的专业技术拓展到边缘蚀刻应用领域。该产品不仅具备明显的效能优势，而且可以显着减少化学品的用量。

湿法蚀刻它避免了产生电弧和矽损伤的风险，同时还能通过1-7毫米可变的晶圆边缘薄膜蚀刻/切割精度、良好的均匀性、可控的蚀刻选择性和较低的化学品消耗量，来降低总体拥有成本。