新思科技DesignWare PVT子系统推动台积电N3制程技术

新思科技推出适用于台积电领先业界N3制程技术之DesignWare制程、电压与温度监控与传感子系统IP。PVT监控与传感子系统IP已纳入台积电9000计划 (TSMC9000 Program)、台积电技术元件数据库(library)以及IP品质管理计划中，针对各种目标市场应用，包括人工智能(AI)、数据中心、高效能运算(HPC)、消费性产品及5G等，为客户提供极具竞争力的效能优势。

以台积电先进制程作为芯片设计目标的SoC设计人员，可利用深度嵌入式PVT监控和传感子系统技术，评估生产过程中的关键芯片参数，以及在装置生命周期的每个阶段进行实时动态条件的测量和分析。

目前已隶属新思科技的Moortec所提供的芯片内(in-chip)传感仍然是当今先进制程技术中能实现最高效能和可靠性的要素，可支持优化方案、遥测(telemetry)和分析。子系统中的IP是新思科技芯片生命周期管理(Silicon Lifecycle Management；SLM)平台的基础元素。

SLM流程始于在芯片深处放置芯片内传感器和PVT监视器，其所提供的数据将有助于了解芯片效能和功耗活动，并让SLM平台的分析引擎能够在半导体生命周期的每个阶段(从早期设计到实地模式运作阶段)带来更详细精确的优化。

台积电设计建构管理处副总经理Suk Lee表示，台积电持续与生态系统合作夥伴合作，解决客户在功耗和效能方面的设计挑战，并透过使用台积电最新技术的设计解决方案，实现新一代的芯片创新。

最新的新思科技DesignWare PVT监控IP证明了双方持续合作的价值，双方客户在受益于台积电N3制程技术所带来的功耗和效能优势的同时，新的IP也将持续提供产品支持。

DesignWare PVT子系统的创新模块化设计提供了PVT监视器的结构，可根据目标应用进行高度配置。用于台积电N3制程技术的最新解决方案包括：可实现高度局部化热分析的分散式热感器、防止热散逸的可编程防护之新型灾难跳闸传感器，以及额外的热二极管，即使芯片在未供电的状况下，也能提供独立的芯片温度测量。整个系统由第四代PVT控制器控制，允许轻松存取来自个别嵌入式监视器和传感器的多个实例数据。

新思科技硬件分析及测试事业群副总裁Amit Sanghani表示，设计的复杂性和装置闸密度不断增加，在相关需求的推动下，PVT监控的采用关系着先进节点的芯片设计是否成功。

全套的DesignWare嵌入式PVT监视器和传感器是新思科技创新的新型晶生命周期管理平台(Silicon Lifecycle Management Platform)的一环，将为芯片设计界提供创新的芯片内传感技术、实时的深度芯片洞悉，并在整个芯片生命周期中提升产品的利用率。