意法半导体单芯片GaN闸极驱动器 提升工业和家庭自动化的速度

意法半导体单芯片GaN闸极驱动器，提升工业和家庭自动化的速度、灵活性和整合度。意法半导体

服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导商意法半导体(STMicroelectronics；ST；纽约证券交易所代码：STM)新推出之STDRIVEG600半桥闸极驱动器输出电流大，上下桥输出信号传播延迟为45ns，能够驱动GaN加强型FET高频开关。

STDRIVEG600的驱动电源电压最高20V，还适用于驱动N沟道矽基MOSFET，在驱动GaN元件时，可以灵活地施加最高6V闸极－源极电压(Gate-Source Voltage；VGS)，确保导通电阻Rds(on)保持在较低水准。

此外，驱动器还整合一个自举电路，可最大限度降低物料清单成本，简化电路板布局。自举电路使用同步整流MOSFET开关二极管，使自举电压达到VCC逻辑电源电压值，让驱动器只勳使用一个电源，而无需低压降稳压器(Low-Dropout Regulator；LDO)。

STDRIVEG600的dV/dt耐量为±200V/ns，确保闸极控制在恶劣的电气环境中具有较高的可靠性。逻辑输入兼容最低3.3V的CMOS/TTL信号，方便与主微控制器或DSP处理器连线。

上桥电路耐受电压高达600V，可用于高压汇流排最高500V的应用领域。驱动器的输出sink电流/source电流为5.5A/6A，并提供独立导通和关断脚位，让设计人员可以选择最佳的闸极控制方式。

此外，上下桥电路皆支持与功率开关源极相连的Kelvin连线方式，以加强控制效能。低边驱动器的专用接地和电源电压脚位可进行Kelvin连线，确保开关操作稳定，并使用分流电阻器侦测电流，而无需额外的隔离或输入滤波电路。

驱动器内建完备的安全保护功能，其中，高低边驱动欠压锁定(UVLO)可以防止功率开关二极管在低效率或危险状况下运行；互锁保护则可以避免开关二极管交叉导通。其他保护功能包括过热保护、省电关闭功能专用脚位。

STDRIVEG600适用于高压PFC、DC/DC和DC/AC转换器、开关电源、UPS电源系统、太阳能发电，以及家电、工厂自动化和工业驱动设备的马达驱动控制等应用。

驱动器提供两款配套开发板，协助设计人员快速启动新专案，其中，EVSTDRIVEG600DG板载一个150mΩ 650V GaN HEMT晶体管，该晶体管采用5mmx6mm PowerFLAT封装，具备Kelvin Source脚位；EVSTDRIVEG600DM开发板则配备一个STL33N60DM2内建快速恢复二极管的MDmesh 115mΩ 600V矽基MOSFET功率开关，该晶体管采用具有Kelvin驱动源脚位的8mmx8mm PowerFLAT封装或DPAK封装。

STDRIVEG600驱动芯片已量产，采用16脚位SO16封装。更多信息，请造访官网。