第三代半导体发展未臻成熟 国内「弯道超车」仍有机会
- 方野／上海
从以绝缘栅双极晶体管(IGBT)、金氧半场效晶体管(MOSFET)为代表的矽基功率半导体，到以碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体，市场火热数十年，新进者不断涌入市场。
在国内国家战略「十四五」规划与2035年远景目标...
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