永泉晶圆12寸碳化矽单晶晶锭量产领先全球 改写高导热材料产业格局

永泉晶圆自行研发设计自产的长晶炉，产出的12寸SiC晶锭及8寸SiC晶锭。永泉晶圆

永泉晶圆自2018年成立以来，以「重塑全球半导体材料版图」为使命，全力投入最前沿的SiC长晶技术、极限坩锅热场设计、革命性长晶炉开发与先进粉料制造。凭藉对技术极限的持续突破，公司于2024年在桃园中坜建置先进生产基地，迅速跃升为全球高功率半导体材料领域的关键力量。短短两年内，即成功量产 6寸与8寸SiC单晶晶锭，良率稳定超过85%，晶锭厚度达25–35mm，技术指标全面领先同业，成为产业最具竞争力的SiC材料供应商。

全球第一梯队量产12寸SiC  进军AI与高端散热市场

2025年4月，永泉晶圆突破第三类半导体制程极限，成功研制出12寸SiC单晶晶锭，成为全球（非中国地区）第一家生产12寸SiC的企业，更于9月达成稳定量产，正式跻身全球大尺寸 SiC 技术领导者之列。12寸产品已量产并出货国际客户，快速切入AI服务器与HPC所需的高导热散热材料供应链。

2025年公司同步提出8项核心发明专利，涵盖长晶技术、石墨坩锅热场与粉料制造，并以自主研发的12寸长晶设备完成材料至设备的完整垂直整合，技术门槛与研发速度大幅领先国际竞争者。

8年深耕打造全球少数的全尺寸SiC完整能力

永泉晶圆投入SiC技术逾8年，完整掌握粉末制造、籽晶技术、热场设计、长晶炉研发以及晶锭等后段加工，是全球少数能从原料到晶锭、再到晶圆全面掌控的材料企业。

公司发言人戈副总指出，永泉晶圆6寸与8寸产品已通过日本多家车用大厂测试并导入使用，应用于电动车逆变器、变压器、OBC车载充电器与快充系统，并由日本代理商推向更多车用与消费性快充市场，显示公司产品已具备全球车规级实力。

12寸SiC成为AI时代关键散热突破口

在AI服务器功耗快速飙升的趋势下，散热能力成为影响运算效率的关键。12寸SiC不仅可作为芯片制程材料，其高导热、高强度、高耐热应力特性更使其成为顶层散热结构的最理想材料。永泉晶圆12寸SiC产品已被国际客户导入高端IC散热方案，被视为下一时代数据中心与HPC系统不可或缺的核心材料。

携手工研院　打造可全面取代高端ALN的新时代散热基板

2025年5月，永泉晶圆获选经济部产业升级创新平台的创新优化计划之「高散热SiC单晶基板开发计划」，并与工研院共同研发热传导系数超过350 W/mK的复合型新材料，以取代高端ALN DPC基板。戈副总表示，此技术将对射频（RF）前端模块与功率模块带来重大革命，永泉晶圆的技术突破将取得新一波国际竞争优势。

技术自主、布局完整　永泉晶圆成全球第三类半导体产业之光

凭藉自主长晶设备、自制粉料与籽晶、完整制程掌控力，永泉晶圆成功跨入全球极少数能量产12寸SiC单晶的企业。从6寸、8寸到跨时代的12寸布局，永泉晶圆不仅强化第三类半导体供应链，更以突破性的12寸高导热 SiC 产品配合带动全球散热技术革新。

展望未来，永泉晶圆将持续扩大产能、深化技术并加速国际合作，目标成为全球化合物半导体供应链中最具影响力的核心技术供应者，为半导体产业开启下一个十年。