TI 于2022 COMPUTEX论坛畅谈GaN 技术如何推升数据中心效率

德州仪器副总裁暨台湾、韩国与南亚总裁李原荣于2022 COMPUTEX Taipei论坛中以「数据中心正在扩建 – 以氮化镓(GaN)技术实现更高效率」为题，分享设计工程师如何利用TI 氮化镓(GaN)技术为数据中心达成体积更小、更高功率密度的解决方案，进而在现有的数据中心实现最大效率。德州仪器

随着台湾和世界各地数据中心快速增加，使得供电效率的需求随之上升。德州仪器副总裁暨台湾、韩国与南亚总裁李原荣5月26日于台北南港展览馆 1 馆所举办的2022 COMPUTEX Taipei论坛中以「数据中心正在扩建 – 以氮化镓(GaN)技术实现更高效率」为题，分享设计工程师如何利用TI 氮化镓(GaN)技术为数据中心达成体积更小、更高功率密度的解决方案，进而在现有的数据中心实现最大效率。

李原荣表示，「随着各产业领导者期盼透过数据中心实现技术创新，从而也提高了运算能力的需求，我们希望协助客户充分发挥氮化镓(GaN)技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率。多年来，我们一直致力于支持台湾和全球客户在不同应用领域中迅速发展。」

李原荣补充，「TI 的自有产能和长期投资使我们能够快速扩展氮化镓(GaN)等各项技术，以协助客户透过实现更小的系统来满足不断增长的市场需求，进而以更高的效率处理更多数据。」

面对扩建数据中心的有限空间和服务器持续运行所需的大量电力，企业必须不断提高数据中心的用电效率及功率密度。

TI的GaN FET如LMG3525R030整合快速切换驱动器，以及内部保护与温度传感功能，可在有限的电路板空间中具有更高效能表现，实现业界领先的功率密度(100W/in³⁾。而TI的C2000实时微控制器提供复杂并具时效性的处理能力、精确控制、软件和周边产品可扩充性等，透过支持不同电源设计与高切换频率的特性，能充分发挥GaN型电源解决方案潜能，从而最大限度地提高电源效率。关于TI GaN 技术，邀请您至TI在线资源查询了解。