华邦扩展其储存容量 推出全新超低功耗NOR Flash

华邦全新超低功耗64Mb 1.2V SPI NOR Flash。华邦电子

全球半导体存储器解决方案领导厂商华邦电子宣布，推出全新SpiFlash产品W25Q64NE ，首次将1.2V SPI NOR Flash容量扩展至64Mb。华邦新型W25Q64NE快闪存储器可提供更多储存容量并减少设备的运行功耗，充分满足新一代智能穿戴装置和移动设备的存储器需求。

华邦是第一家推出1.2V SPI NOR Flash的快闪存储器制造商，该产品工作电压的扩展范围是1.14V-1.6V，可兼容单节AA型硷性电池的输出电压。此次将产品容量提升至64Mb，华邦1.2V NOR Flash系列产品可满足智能装置对储存空间的更高要求。目前，此新型W25Q64NE产品已提供样品，同时提供符合产业标准封装的USON8-3x4和WLCSP小尺寸封装形式。

产品特点

一般来说，移动设备和穿戴装置的总功耗有99%都是在运行模式中产生，与1.8V SpiFlash产品相比，华邦1.2V SPI NOR Flash可将Flash本身的运行功耗减少三分之一。因此，使用华邦的 1.2V NOR Flash可帮助电池容量较小的装置像是TWS耳机与健身手环大幅延长产品续航时间。华邦表示，如今，电池续航时间已经成为影响消费者购买TWS耳机和智能手表等新产品的关键因素，而华邦新型W25Q64NE快闪存储器正是这些设备制造商的理想选择，可助力提高终端产品竞争力。

在工作频率为50MHz的读取模式下，1.8V SpiFlash存储器的工作电流为4mA，功耗为7.2mW。而同样在50MHz时，华邦1.2V SpiFlash存储器的工作电流也为4mA，但功耗仅为4.8mW。使用1.2V SpiFlsh替换1.8V产品，可立即节省33%的功耗。

除省电外，1.2V SpiFlash还可简化系统设计并降低成本。随着SoC制程向更先进的制程发展，新一代 SoC的I/O电压正在逐步降低，目前已经低于1.8V，因此需要搭配电平转换器才能与传统的 1.8V/3V SPI Flash连接，这将导致额外的成本支出并增加系统设计的复杂性。而采用1.2V快闪存储器，SoC无需电平转换器即可直接连接到SPI Flash，从而降低BOM成本和PCB占用的空间。

华邦W25Q64NE配备性能出色的标准SPI NOR界面，最大数据传输速率可达42MB/s。与1.8/3V SPI Flash操作方式的架构相同， 支持最小 4KB可擦除的磁区。欲了解更多产品信息，请造访华邦电子官网。