盛美上海获批量Ultra C wb槽式湿法清洗设备采购订单

盛美上海董事长王晖博士表示：「我们开发槽式湿法系统是为了涵盖更广泛的技术节点下，客户对湿法清洗技术的需求。这笔订单证明了我们以极具竞争力的产品，使公司产品组合完成从先进清洗制程到全清洗制程涵盖的策略是正确的。能从客户手中获得这笔重复批量订单证明我们的策略是成功的，因为这笔订单来自同一家代工厂，而且属于槽式湿法清洗市场范畴。这也明确展示了我们的技术实力、日渐稳固的市场领先地位以及满足客户需求的能力。加上盛美上海的先进低压乾燥技术，我们的槽式产品几乎可以完成一切使用槽式清洗设备的清洗制程步骤。」

王晖董事长提及的先进乾燥技术，就是盛美上海宣布推出的用于300mm槽式系统的ULD(超低压乾燥)技术。该制程专门为解决槽式清洗中乾燥技术难题而设计，例如先进半导体晶圆上的3D NAND结构及逻辑产品的高宽深比结构在槽式清洗中的乾燥问题。盛美上海的新型ULD槽式模块使用低压异丙醇(IPA)乾燥制程来满足大多数槽式清洗乾燥制程的要求，包括炉管前清洗、离子注入后清洗和乾法蚀刻后微影胶去除、化学机械研磨(CMP)后清洗以及薄膜沉积、氧化层蚀刻和氮化物去除等制程。盛美上海已于2021年第3季度向一家领先的国内存储器半导体制造商交付了首个ULD模块，初步的制程数据已证明了ULD在先进节点制造中的有效性。

盛美上海Ultra C wb槽式湿法清洗设备

Ultra C wb槽式湿法清洗设备的主要清洗应用包括炉管前清洗、RCA清洗、光阻去除、氧化层蚀刻、氮化矽去除，以及晶圆回收制程中前段FEOL多晶矽/氧化矽层剥离去除，和后段BEOL金属层剥离去除。可以配置独立的多种化学液清洗(MCR)模块，按不同的制程组合在该模块中依次使用多种清洗药液，如SC1、SC2、DHF、DIO3、DIW等。清洗效果好，避免交叉污染，成本低。Ultra C wb槽式湿法清洗设备有效利用化学药液和去离子水(DIW)，环境友善。且凭藉其精巧的模块化设计，占用空间小的优点，可以在生产车间灵活配置。

盛美上海搭载超低压乾燥(ULD)技术的300mm槽式系统

该ULD模块利用高温氮气(N2)配合高温IPA，降低晶圆乾燥时液膜的表面张力，增加水离开晶圆表面时IPA和DIW的表面张力梯度。 该模块可降低IPA/N2混合中乾燥模块环境的压力，加速了IPA替代置换DIW速率以及IPA在晶圆表面的蒸发。该技术极大地提高了晶圆的乾燥性能，尤其是应用于较大深宽比结构和较小图形尺寸的晶圆表面时，极大降低浮水印和颗粒残留的污染风险，缩短了乾燥时间并有效避免了晶圆图形塌陷变形等问题。

盛美上海从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造产业至关重要的单片晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备和热处理设备的研发、生产和销售，并致力于向半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的制程解决方案，来提升他们多个步骤的生产效率和产品良率。有关更多信息，请浏览网站。