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英飞凌全新 单通道闸极驱动器系列

  • 赖品如台北

英飞凌1EDN71x6G版本配备可选择拉高与拉低驱动方式,无须闸极电阻,即可将波形和切换速度最佳化。
英飞凌1EDN71x6G版本配备可选择拉高与拉低驱动方式,无须闸极电阻,即可将波形和切换速度最佳化。

极小化研发工作和成本、耐用且高效的运行是现代电力电子系统对于中压氮化镓(GaN)开关的关键要求。英飞凌科技根据其战略性设计的GaN产品系列,不断加强全系统解决方案,推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V单通道闸极驱动器IC系列。新产品系列旨在提高CoolGaN肖特基闸极(SG)HEMT的效能,但也兼容于其他GaN HEMT和矽MOSFET。闸极驱动器的目标锁定广泛应用,包括DC-DC转换器、马达驱动器、电信、服务器、机器人、无人机、电动工具以及D类音讯放大器等。

1EDN71x6G版本配备可选择拉高与拉低驱动方式,无须闸极电阻,即可将波形和切换速度最佳化。因此,得以缩小功率级配置与减少BOM元件。最强大/最快速的驱动版本(1EDN7116G)适用于含有大量并联的半桥式配置;最微弱/最慢速的驱动版本(1EDN7146G)可用于部分dv/dt 受限的应用,如马达驱动器或极小的GaN(高 RDS(on)、低 Qg) HEMT。每个版本的遮没时间各自不同,会与建议的最短停滞时间、最小脉冲宽度和传播延迟成正比。

真正的差分逻辑输入(TDI)功能可消除低侧应用中因接地弹跳而造成的错误触发风险,且可使1EDN71x6G处理高端应用。此外,所有版本皆具有主动米勒钳制功能以及极强的下拉功能,可避免感应导通。这可为避免闸极驱动回路中发生干扰提供额外的稳固性,特别是在驱动具有高米勒比的晶体管时。

此外,1EDN71x6G还提供主动靴带式钳制,以免靴带式电容器在停滞时间期间过度充电。这可提供靴带式电源电压调节,能保护高侧晶体管闸极,无须额外的调节电路。如有需要(如在无法完全将PCB配置最佳化的情况下),还可提供含有可调式负关断电源的选配可程序设计电荷泵,藉以取得额外的米勒感应导通抗性。

极小化研发工作和成本、耐用且高效的运行是现代电力电子系统对于中压氮化镓(GaN)开关的关键要求。英飞凌科技根据其战略性设计的GaN产品系列,不断加强全系统解决方案,推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V 单通道闸极驱动器IC系列。新产品系列旨在提高CoolGaN肖特基闸极(SG)HEMT的效能,但也兼容于其他GaN HEMT和矽MOSFET。闸极驱动器的目标锁定广泛应用,包括DC-DC转换器、马达驱动器、电信、服务器、机器人、无人机、电动工具以及D类音讯放大器等。

1EDN71x6G 版本配备可选择拉高与拉低驱动方式,无须闸极电阻,即可将波形和切换速度最佳化。因此,得以缩小功率级配置与减少BOM元件。最强大/最快速的驱动版本(1EDN7116G)适用于含有大量并联的半桥式配置;最微弱/最慢速的驱动版本(1EDN7146G)可用于部分dv/dt受限的应用,如马达驱动器或极小的GaN(高 RDS(on)、低 Qg)HEMT。每个版本的遮没时间各自不同,会与建议的最短停滞时间、最小脉冲宽度和传播延迟成正比。

真正的差分逻辑输入(TDI)功能可消除低侧应用中因接地弹跳而造成的错误触发风险,且可使1EDN71x6G处理高端应用。此外,所有版本皆具有主动米勒钳制功能以及极强的下拉功能,可避免感应导通。这可为避免闸极驱动回路中发生干扰提供额外的稳固性,特别是在驱动具有高米勒比的晶体管时。

此外,1EDN71x6G还提供主动靴带式钳制,以免靴带式电容器在停滞时间期间过度充电。这可提供靴带式电源电压调节,能保护高侧晶体管闸极,无须额外的调节电路。如有需要(如在无法完全将PCB 配置最佳化的情况下),还可提供含有可调式负关断电源的选配可程序设计电荷泵,藉以取得额外的米勒感应导通抗性。

极小化研发工作和成本、耐用且高效的运行是现代电力电子系统对于中压氮化镓(GaN)开关的关键要求。英飞凌科技根据其战略性设计的GaN产品系列,不断加强全系统解决方案,推出EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V单通道闸极驱动器IC系列。新产品系列旨在提高CoolGaN肖特基闸极(SG)HEMT的效能,但也兼容于其他GaN HEMT和矽MOSFET。闸极驱动器的目标锁定广泛应用,包括DC-DC转换器、马达驱动器、电信、服务器、机器人、无人机、电动工具以及D类音讯放大器等。

1EDN71x6G 版本配备可选择拉高与拉低驱动方式,无须闸极电阻,即可将波形和切换速度最佳化。因此,得以缩小功率级配置与减少 BOM 元件。最强大/最快速的驱动版本(1EDN7116G)适用于含有大量并联的半桥式配置;最微弱/最慢速的驱动版本(1EDN7146G)可用于部分dv/dt受限的应用,如马达驱动器或极小的GaN(高 RDS(on)、低 Qg)HEMT。每个版本的遮没时间各自不同,会与建议的最短停滞时间、最小脉冲宽度和传播延迟成正比。

真正的差分逻辑输入(TDI)功能可消除低侧应用中因接地弹跳而造成的错误触发风险,且可使1EDN71x6G处理高端应用。此外,所有版本皆具有主动米勒钳制功能以及极强的下拉功能,可避免感应导通。这可为避免闸极驱动回路中发生干扰提供额外的稳固性,特别是在驱动具有高米勒比的晶体管时。

此外,1EDN71x6G还提供主动靴带式钳制,以免靴带式电容器在停滞时间期间过度充电。这可提供靴带式电源电压调节,能保护高侧晶体管闸极,无须额外的调节电路。如有需要(如在无法完全将PCB配置最佳化的情况下),还可提供含有可调式负关断电源的选配可程序设计电荷泵,藉以取得额外的米勒感应导通抗性。



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