Microchip持续扩大氮化镓射频功率元件产品组合

Microchip Technology宣布大幅扩展其氮化镓(GaN)射频(RF)功率元件产品组合，推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波IC(MMIC)和分离晶体管。这些元件同时具备高功率附加效率(PAE)和高线性度，为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准。

与所有Microchip的GaN射频功率产品一样，新元件采用碳化矽基氮化镓技术制造，提供了高功率密度和产量的最佳组合，可在高压下运行，255℃接面温度下使用寿命超过100万小时。

这些产品包括涵盖2至18GHz、12至20GHz和12至20GHz的氮化镓MMIC，3dB压缩点(P3dB)射频输出功率高达20W，效率高达25%，以及用于S和X波段的裸晶和封装氮化镓MMIC放大器，PAE高达60%，以及涵盖直流至14 GHz的分离高电子迁移率晶体管(HEMT)元件，P3dB射频输出功率高达100W，最大效率为70%。

Microchip分离产品业务部副总裁Leon Gross表示：「Microchip持续投入打造GaN射频产品系列，以支持从微波到毫米波长所有频率的各种应用。我们的产品组合包括从低功率水准到2.2千瓦的50多种元件。日前宣布推出的产品跨越了2至20GHz，旨在解决5G和其他无线网络采用的高端调变技术带来的线性度和效率挑战，以及满足卫星通讯和国防应用的独特需求。」

除GaN元件外，Microchip的射频半导体产品组合包括砷化镓(GaAs)射频放大器和模块、低杂讯放大器、前端模块(RFFE)、变容二极管、萧特基和PIN二极管、射频开关和电压可变衰减器。此外，公司还提供高效能表面声波(SAW)传感器和微机电系统(MEMS)振荡器以及高度整合的模块。这些模块将微控制器(MCU)与射频收发器(Wi-Fi MCU)相结合，支持从蓝牙和Wi-Fi到LoRa的主要短程无线通讯协定。