ROHM推出超低导通电阻新时代Dual MOSFET
- 陈毅斌／台北
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半导体制造商ROHM开发出适用于FA等工控装置和基站(冷却风扇)24V马达驱动用内建二颗耐压±40V和±60V的Dual MOSFET「QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch)」。
近年来，为了支持工控装置和基站马达所使用的24V输入，驱动元件MOSFET需要考虑到电压变动所需的余裕度，所以要求要40V和60V的耐压能力。此外，在提高马达效率并缩减体积方面，对于MOSFET出现进一步降低导通电阻和高速切换的需求。
在此背景下，ROHM继2020年底发布新一代Pch MOSFET之后，此次Nch再推出了采用新微细制程的第6代40V和60V耐压MOSFET。因此，使ROHM在支持24V输入的±40V和±60V耐压等级拥有了领先业界的Nch+Pch Dual MOSFET产品。
此外，为了满足更广泛的市场需求，ROHM还研发出+40V和+60V耐压的「QH8Kxx/SH8Kxx系列(Nch+Nch)」，产品系列已达12款。
本系列产品采用ROHM全新制程，具备业界超低导通电阻，±40V耐压产品的导通电阻比一般品降低61%(Dual MOSFET的Pch部分比较)，有助进一步降低各装置的功耗。此外，透过将二颗元件汇集到一个封装中，可减少安装面积进而达到装置小型化，还有助减少元件选择(Nch和Pch的组合)的时间。
具备业界超低导通电阻
ROHM本次研发的Dual MOSFET产品中，采用全新制程±40V耐压产品，与一般品相比，Pch部分的导通电阻降低多达61%，Nch部分的导通电阻也降低达39%，有助降低应用装置功耗。
发挥Dual MOSFET专属特性 有助装置小型化并缩短设计周期
在一个封装中内建二颗元件，有助装置小型化和减少元件选择时间。在小型化方面，如果将传统的Nch+Pch Dual MOSFET(SOP8)替换成新产品(TSMT8)，安装面积可减少75%。
与缺省驱动IC结合 提供更优异的马达驱动解决方案
将本产品与具有丰富实绩的ROHM单相和三相无刷马达缺省驱动IC相结合，可以进一步达成马达小型化、低功耗和静音驱动。并且全面支持以Dual MOSFET系列和缺省驱动IC所组成的周边电路设计，提供满足客户需求的马达驱动解决方案。
