意法半导体推出MasterGaN参考设计并展示250W无散热器谐振转换器

意法半导体推出MasterGaN参考设计并展示250W无散热器谐振转换器。意法半导体

意法半导体(STMicroelectronics；ST；纽约证券交易所代码：STM)新推出MasterGaN首个参考设计，并展示了新款高整合度元件如何提升功率密度、效能，简化产品设计，缩短上市时间。EVLMG1-250WLLC 参考设计是一个250W谐振转换器，电路板尺寸为100mmx60mm，最高元件高度是35mm。

功率芯片整合了一个STDRIVE半桥闸极驱动器以及两颗650V常关GaN晶体管的MasterGaN1。其具有配对的时序参数，导通电阻(Rds(on))150mΩ，最大额定电流10A，逻辑输入兼容3.3V至15V信号。

MasterGaN1适用于最高400W的交流对直流电源、直流对直流转换器和直流对交流逆变器应用中的高效软开关拓扑，包括谐振转换器、有源钳位反激或正激转换器，以及无桥图腾柱功率因数校正(Power-Factor Correction；PFC)。利用GaN功率晶体管的高效能，参考设计一次侧采用无散热器设计。

此外，GaN晶体管的开关效能出色，工作频率高于普通矽基MOSFET解决方案，因此可以使用较小的电磁元件和电容，实现更高的功率密度和更低的物料清单成本。

EVLMG1-250WLLC是一个标准400V输入的电源参考设计，提供一个24V/10A输出埠，最高效能超过94%。受益于MasterGaN内部整合的安全功能，转换器输出有短路和过流保护功能。

还具备欠压保护和输入电压监测功能，电压检测功能可在多个直流对直流转换器中实现上电排序，防止马达低压起动。意法半导体的MasterGaN系列产品由脚位兼容的整合半桥产品所组成，包括对称和非对称配置，其采用9mmx9mm的薄型GQFN封装。

封装内部电路额定电压最高650V，高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。MasterGaN模块适用于各种额定功率，工程师只需略做硬件修改，即可扩充升级系统设计。EVLMG1-250WLLC现在已经上市。更多信息，请造访官网。