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GUC宣布CSP数据中心采用HBM3E IP

  • 周建勳台北

HBM3E 9.2G眼图(Eye Diagram)。创意电子
HBM3E 9.2G眼图(Eye Diagram)。创意电子

先进ASIC领导厂商创意电子(GUC)很高兴宣布,其3纳米HBM3E控制器和实体层IP已获领先业界的云端服务供应商(CSP)及多家高效运算(HPC)解决方案供应商所采用。这款尖端ASIC预计将于2024年投片,并将采用最新的9.2Gbps HBM3E存储器技术。

创意电子的HBM3E控制器和PHY IP已被许多AI公司采用,创意电子也积极与HBM供应商(如美光)合作,为下一代AI ASIC 开发HBM4 IP。

中介层(Interposer)角度布线。创意电子

中介层(Interposer)角度布线。创意电子

创意电子提供2.5D/3D ASIC 设计全方位服务。创意电子

创意电子提供2.5D/3D ASIC 设计全方位服务。创意电子

创意电子HBM3E IP亮点:

1. 通过台积电先进制程技术的验证:台积电N7/N6、N5/N4P、N3E/N3P 制程。
2. 通过所有主流HBM3厂商的矽验证。
3. 在台积电CoWoS-S及CoWoS-R技术上均通过矽验证:创意电子为TSMC CoWoS-S设计eDTC与CoWoS-R 设计IPD,以实现最佳电源完整性。
4. 高端中介层(Interposer)布线:专利中介层布局,既支持具Y轴偏移的角度布线,又能保持最佳的信号完整性及电源完整性。
5. 内建小芯片互连监控解决方案:GUC与proteanTecs合作,将小芯片互连监视器整合到HBM PHY中。此功能增强了小芯片的可观察性和可靠性。
6. 完整的2.5/3D多芯片设计服务:创意电子可为HBM CoWoS ASIC平台设计提供完整的2.5D与3D服务的选项。

创意电子与美光之间的合作证明,创意电子的HBM3E IP与美光HBM3E可以在CoWoS-S和CoWoS-R技术上实现9.2Gbps。创意电子测试芯片的矽结果显示,除了电源完整性(PI)与信号完整性(SI)结果通过考验,在不同温度和电压角落上也取得优异的眼图边限。此外,创意电子的IP与美光的HBM3E时序参数整合时可展现更有效的汇流排利用率,进一步增强整体系统效能。

创意电子行销长Aditya Raina表示:「我们很高兴看到我们的HBM3E控制器和PHY IP整合到CSP和HPCASIC中。」 ,「我们的HBM3E 解决方案不但经过矽验证,亦通过多个先进技术与主流厂商的验证,而持续获得多家大厂采用,也彰显出这个解决方案的稳健度与优势。我们期待继续为各种应用提供支持,包括人工智能、高效能运算、网络和汽车。

美光AI Solutions Group的 senior director Girish Cherussery表示:「存储器是人工智能服务器不可或缺的一部分,也是数据中心系统效能和进步的基础。」美光同级最佳的存储器速度及能源效率表现,非常有益于因应例如ChatGPT等大型语言模型这类生成式AI工作负载日益增加的需求,进而支持AI维持成长步调。」

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