意法半导体突破非挥发性存储器技术 领先业界推出串行页EEPROM

意法半导体突破非易失性存储器技术，领先业界推出串行页EEPROM。意法半导体

意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM)藉由在串行EEPROM技术领域专业经验的积累，率先业界推出串行页EEPROM(Serial Page EEPROM)。这款全新类别的EEPROM是一种SPI序列界面的高容量页可抹除存储器，具备独步业界且前所未有之读写灵活性、读写效能和超低功耗等效能。意法半导体新串行页EEPROM产品家族前期先推出32Mbit的M95P32，之后将增加16Mbit和8Mbit产品。

此创新架构让设计人员能够在同一存储器上管理韧体和弹性存储数据，这种组合过去尚未存在。更高的存储器整合度可以减少终端产品的物料清单(BoM)成本、缩短上市时间、增加应用价值，并实现尺寸更小的超低功耗模块，进而延长电池使用寿命。这些元件是在新系统设计中执行多合一非挥发性存储器，并适用于工业物联网模块、穿戴式装置、医疗保健、电子货架边缘标签、智能计量和5G光纤模块等新系统设计。

作为一个全新的开发成果，串行页EEPROM 整合意法半导体的e-STM 40nm非挥发性存储器(Non-Volatile Memory；NVM)单元专利技术与新的智能存储页架构，兼具高储存容量、位元组抹写弹性和高耐抹写次数，既有利于韧体管理，又能简化数据纪录。新产品亦具备读取、抹除和写入时间短之特点，快速地上传下载速度则可降低制造成本且减少应用停机时间。快速上电和四路输出进一步加速应用唤醒速度。

整合这种新简化存储器可优化企业拥有成本、提升产品易用性、简化软件研发，以及提升产品可靠性。串行页EEPROM是一个成本相较FRAM更低的非挥发性存储器解决方案，功耗比串行快闪存储器(serial Flash)更低，且功能和易用性较Dataflash产品更佳。