DIGITIMES - 议题精选：长鑫存储器大进击

长鑫存储器大进击

从技术、产能、市场到资本布局，全方位追踪长鑫存储器最新发展，剖析中国存储器自主化进程，以及对三星、SK海力士、美光等国际大厂带来的竞争影响。

长鑫、长存传储备3年产能DUV设备　华为链续推进中国自主化

2026/9/9

中国拼半导体制造自主化，知情人士透露，近年积极囤积大量深紫外光（DUV）微影设备，中国存储器制造商长鑫科技和长江存储都已从ASML储备足够的DUV设备，以支应未来3年的扩产计划。据金融时报（FT）及

长鑫存储HBM3良率仍卡25%　传TSV技术经验为硬伤

2026/9/9

中国DRAM龙头长鑫存储传虽已着手试产第四代高带宽存储器（HBM3），但初期良率始终难以提升，仍停留在25%，与竞争对手目前已达90%以上的HBM3良率相当悬殊。业界分析指出，关键在于长鑫存储的矽穿孔（TSV）

观察：箝制反催中国造芯热　华为麒麟重生、小米接力陪跑

2026/9/9

2020年9月，华为手机业务曾迎来一记重击。当时美国收紧对华为的芯片管制，台积电在9月中旬停止向华为出货；当时华为消费者业务CEO余承东更直言，9月15日后，台积电将无法再替华为制造手机芯片。麒麟9000因此被视为华为高端手机芯片的一个重要分水岭。6年后，同样在9...

长鑫：2H26续冲刺服务器业务　DRAM供给仍吃紧

2026/9/8

中国DRAM大厂长鑫科技9月7日下午举行上市之后首场半年报在线法说会，公司预期2026年下半全球DRAM供给紧俏格局仍将延续，并将透过扩充产能、制程升级及成本控管，进一步提升市场竞争力。根据中媒第一财经

长鑫存储进军高端存储器　小米打头阵、苹果传合作、HBM求突破

2026/9/8

从智能手机切入存储器市场，长鑫存储正逐渐将战线延伸至人工智能（AI）应用领域，若可进一步突破高带宽存储器（HBM），其竞争版图可望由中国本土市场，加速扩展至全球AI存储器市场。综合华尔街日报（WSJ）

三星HBM扩大供应、长鑫存储崛起　全球存储器版图出现新变化

2026/9/7

全球高带宽存储器（HBM）市场竞争升温，三星电子（Samsung Electronics）市占率单季大增12个百分点至33%，迅速逼近仍以50%居冠的SK海力士（SK Hynix）。根据韩媒ET News、首尔经济等报导，市调机构

北方华创蚀刻技术突围　中国3D DRAM开发EUV替代方案

2026/9/7

中国半导体设备商北方华创日前在IEEE期刊公布研究成果，宣称已开发出一套用于3D DRAM的双步骤蚀刻（etching）技术，并在64层结构中实现较高的蚀刻均匀性（Uniformity）。若后续能通过量产验证，这项技术有

字节跳动AI手机采双供应商策略　三星、长鑫存储分食存储器订单

2026/9/7

中兴通讯与字节跳动共同开发的人工智能（AI）智能手机努比亚NaviX Ultra，将同时采用三星电子（Samsung Electronics）、长鑫存储供应的移动DRAM，形成双供应商体系。韩媒Herald经济引述业界消息，三星将

观察：中国打出存储器三张牌　长鑫、长存、武汉新芯各自突围

2026/9/4

中国存储器产业正转变打法。过去，中国面临「缺一家能打的本土大厂」，如今逐渐形成分进合击的局面：长鑫存储攻DRAM、长江存储拼3D NAND，武汉新芯则把NOR

长鑫存储LPDDR6全球首发塑造形象？　实际性能、量产规模遭疑

2026/9/3

中国DRAM龙头长鑫存储日前正式宣布LPDDR6进入量产，并自称为「全球首家商用化」，但业界对此说法存在诸多质疑，从产品实际运作规格、量产进度到出货规模均认为仍有疑点。而韩国存储器双雄早已完成同款产品开发，并着手准备量产，长鑫存储的「全球首发」说法也被认为与业...

长鑫HBM3E拼2027年量产　预料将成中国AI GPU坚强后盾

2026/9/3

中国AI芯片产业持续扩大，存储器供应正成为影响AI GPU出货的重要环节。随着三星（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）及美光（Micron）等全球DRAM三大厂持续将先进产能转向高带宽存储器

长鑫扩大全球徵才补齐DRAM人才链　布局延伸至日本

2026/9/3

中国DRAM业者长鑫存储启动2027年全球徵才，职缺从电路设计、研发技术、量产技术一路延伸至生产营运、信息技术及人工智能（AI）等领域，工作地点涵盖合肥、北京、上海、西安及海外市场日本。从职缺结构来看

长鑫LPDDR6量产　中国存储器厂拉近与DRAM三强代差

2026/9/1

中国DRAM业者长鑫存储29日宣布，LPDDR6正式进入量产，并由小米新一代折叠旗舰手机「小米18 Fold」首发搭载。小米董事长雷军随即公开表达祝贺，并指出小米玄戒O3为首款支持长鑫LPDDR6的移动处理器。长鑫

深度：川习会前科技战变量　长鑫告美国防部的底气何来？

2026/9/1

长鑫存储（CXMT）对美国政府展开反击，从供应链与技术竞争延伸到司法攻防战。8月28日，长鑫公布上市后首份半年报成绩亮眼，同一天也宣布提告美国国防部。长鑫向美国华盛顿特区联邦地区法院提告，将美国国防部、国防部长Pete Hegseth、副部长Steve Feinb...

突破美方封锁　长鑫传已小量生产HBM3E助攻中国本土AI芯片

2026/9/1

据知情人士透露，中国存储器芯片制造商长鑫科技已开始小量生产先进高带宽存储器HBM3E，这项进展可望缓解中国在开发本土人工智能（AI）处理器上的关键限制。HBM3E目前广泛应用于顶尖AI处理器，这代表长鑫生

长鑫存储「合肥计划」曝光　缜密窃取三星DRAM制程、人才

2026/9/1

三星电子（Samsung Electronics）18纳米DRAM制程泄密案再有后续。最新韩国检方调查显示，中国存储器业者长鑫存储早在2016年初期便制定「合肥计划」（H Project），锁定取得三星的核心技术、人才，并订出分

不满被列军事企业清单　长鑫存储提告五角大厦

2026/8/31

因不满遭列入中国军事企业清单（Chinese Military Companies list；CMC），中国存储器业者长鑫存储8月28日向美国国防部提起诉讼。路透（Reuters）报导，长鑫存储强调自身与中国军方没有关联，所设计、制造

长鑫科技挂牌后首份财报亮眼　AI存储器缺货助攻1H26营收年增873%

2026/8/31

受全球人工智能（AI）浪潮推升硬件需求与存储器短缺影响，中国最大存储器芯片制造商长鑫科技于挂牌上市后首份财报中缴出亮眼成绩。长鑫2026年上半营收大幅飙升近10倍，年增873.64%、达到人民币1,503.1亿元（约

长鑫存储LPDDR6追平SK海力士？　传共同供货小米旗舰机

2026/8/28

消息传出，小米最新旗舰机将搭载中国DRAM龙头长鑫存储生产的LPDDR6，值得注意的是，此前也曾有消息称，SK海力士（SK

中国DRAM追赶再进一步　长鑫存储成功导入High-k材料

2026/8/28

中国长鑫存储正把DRAM技术追赶推向材料与晶体管结构层级。产业研究机构TechInsights指出，长鑫存储已成功将高介电常数（High-k）材料量产应用于最新DRAM产品，触及过去由存储器领先业者掌握的技术门槛