从技术、产能、市场到资本布局,全方位追踪长鑫存储器最新发展,剖析中国存储器自主化进程,以及对三星、SK海力士、美光等国际大厂带来的竞争影响。
三星HBM扩大供应、长鑫存储崛起 全球存储器版图出现新变化
北方华创蚀刻技术突围 中国3D DRAM开发EUV替代方案
字节跳动AI手机采双供应商策略 三星、长鑫存储分食存储器订单
观察:中国打出存储器三张牌 长鑫、长存、武汉新芯各自突围
长鑫存储LPDDR6全球首发塑造形象? 实际性能、量产规模遭疑
长鑫HBM3E拼2027年量产 预料将成中国AI GPU坚强后盾
长鑫扩大全球徵才补齐DRAM人才链 布局延伸至日本
长鑫LPDDR6量产 中国存储器厂拉近与DRAM三强代差
深度:川习会前科技战变量 长鑫告美国防部的底气何来?
突破美方封锁 长鑫传已小量生产HBM3E助攻中国本土AI芯片
长鑫存储「合肥计划」曝光 缜密窃取三星DRAM制程、人才
不满被列军事企业清单 长鑫存储提告五角大厦
长鑫科技挂牌后首份财报亮眼 AI存储器缺货助攻1H26营收年增873%
长鑫存储LPDDR6追平SK海力士? 传共同供货小米旗舰机
中国DRAM追赶再进一步 长鑫存储成功导入High-k材料
首发LPDDR6长鑫新时代手机存储器 传中系手机大厂已锁定
苹果只是试金石? 中国存储器辗转外销北美锁定云端布局
川普拟拿苹果买中国芯片当筹码 长鑫产能满载恐难如愿
存储器进入先抢先赢 长约从三大厂烧向SanDisk、南亚科与长鑫
长鑫存储DDR5良率传破90% 与三星差距快速缩小