DIGITIMES - 议题精选：SiC基板转型新局启动

第三类半导体材料碳化矽（SiC）具备耐高电压、大电流、高导热、高击穿电压与高开关频率等特性，成为半导体、新能源汽车提升性能的重要关键。

2025/9/4

中国新能源车市场价格战持续升温，为抢夺市占，中系车厂纷纷将车价推向历史新低，使自身利润空间大幅压缩。催生出「混合碳化矽」（Hybrid-SiC）技术的新兴需求，该技术或将为新能源车开启，同时维持高性能亦能控制成本的突破口。

2025/9/4

中国某家一线第三类碳化矽（SiC）基板大厂于2025年初，因产品品质问题，遭到国际整合元件厂（IDM）巨头客诉，引发市场强烈关注。此事件一度被视为中国SiC产业在国际料源市场上的重大挫败，甚至有分析指出或将引发国际IDM客户的寒蝉效应。

2025/9/3

随着人工智能（AI）芯片不断迈向更先进的制程，其运作时产生的高热量，已成为阻碍效能提升的关键挑战。近期半导体供应链传出，为应对AI芯片的高散热需求，半导体先进封装领域有望将12寸碳化矽（SiC）基板纳入考量。此技术发展，不仅为台湾的SiC产业另辟蹊径，更有望掀起一...

2025/9/3

在中国第三类半导体碳化矽（SiC）基板因「内卷」进而启动全球价格战时，台湾本土SiC基板供应商格棋凭藉第三方供应商定位，悄然成为国际半导体与电动车（EV）巨头分散供应链风险的首选。

2025/8/26

东芝（Toshiba）的半导体与电子元件业务子公司Toshiba Devices & Storage，与中国的碳化矽（SiC）晶圆厂山东天岳，针对SiC晶圆品质提升及技术合作达成基本协议。双方未来也将探讨扩大SiC晶圆供应的可能性，持续协商具体合作内容。