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上刊时间:2004/03/03~2026-05/11
电脑运算
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电脑运算
高速传输界面规格升级　臺系IC设计业者戮力打造相关芯片生态系

在后疫情时代，使用者已习于使用各种视讯軟件、影音串流，满足工作、学习与休闲娱乐需求，高分辨率、高刷新率影像输出需求稳定增加，PC屏幕、NB等IT产品及周边...

DIGITIMES研究团队
2023-03-06
显示科技与应用
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显示科技与应用
智能移動微型投影机具备高便携性　聯網功能导入满足移动式娱乐体验
DIGITIMES Research观察，智能移動微型投影机(pico projector)拥有高携带便利性，甚至透过聯網可观看串流影音内容，内置喇叭及电池有利于随处投影，多元功能完善移...
余君涛
2022-11-29
电脑运算
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电脑运算
PC外接式电源供应器朝轻巧、高效、快充发展　业者渐采GaN元件提升产品附加价值
DIGITIMES Research观察，PC应用续朝屏幕高分辨率、产品轻薄化等需求发展，加上新一代CPU/GPU、存儲器与储存装置等效能提升对整体电源功耗(power consumption...
DIGITIMES研究团队
2022-09-01
电脑运算
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电脑运算
新一代NB处理器扩大支持高速传输及充电规格　商用与电竞NB换机潮可期
DIGITIMES Research观察，新一代NB处理器规格升级，NB新产品效能备受重视。高速传输界面USB 4.0、Thunderbolt 4兴起，數據/影音传输速度达40Gbps；USB PD 3...
DIGITIMES研究团队
2022-05-05
IC设计
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IC设计
USB 4.0界面加速渗透带动相关芯片需求 臺系业者发展备受瞩目
DIGITIMES Research观察，2021年下半起法规政策与供应商支持两大因素共同推动高速传输界面USB 4.0与USB Type- C需求成长，除主控端(host)、装置端(device)与...
翁书婷
2022-03-31
电脑运算
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电脑运算
产销调查：4Q21全球NB出货疲态初现　商务机种供应能力牵动各品牌出货表现
欧美教育标案虽现断崖式衰退，但企业重启带来强劲的商务NB需求，加上品牌商唯恐塞港致无法于旺季上架而提前出货，以及部分料况改善下，2021年第3季全球NB出货量...
萧圣伦
2021-10-27
IC设计
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IC设计
手机业者带动GaN快充普及率提升　GaN功率芯片市场具成长潜力
DIGITIMES Research观察，2019年OPPO首度将氮化镓(GaN)快充列为手机标配，加速GaN快充市场渗透率的提升，内部核心GaN功率芯片更是业界关注焦点。快充用GaN功率芯片业者百家争鸣，然中国市场呈现三强鼎立的局面，藉与手机业者深度合作...
简琮训
2021-08-19
电脑运算
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电脑运算
产销调查：3Q21全球NB出货冲刺全年高峰　然产品组合调整为供应链备料带来挑战
第2季进入教育标案需求高峰，电竞及商用NB需求亦相当强劲，然面板、显卡、板端IC及载板供应较预期恶化，部分业者更因零组件供给长短脚导致更大的缺口，2021年第2季全球NB出货(未计可拆卸式机种)季增幅不如先前预期。第3季在需求面临饱和...
萧圣伦
2021-07-28
电脑运算
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电脑运算
3Q21面板及IC整体缺口将再扩大 4Q21 NB供给面将有改善契机
DIGITIMES Research调查NB巿场缺料状况，发现面板模塊、板端IC及处理器目前短缺程度皆在1成以上，且第3季在品牌冲刺全年出货高点及供给面未根本改善下，部分规格面板及特定IC缺口将恶化至2成以上。然第4季预期全球疫情改善将降低NB需求，加上部分IC新增或替代产能将开出，供给与需求一增一减下，料件缺口可望明显改善。
　　近期11.6吋面板因品牌备货已多，加上由Chromebook带头冲刺的教育巿场将在第2季将达全年高点，而出现拉货力道减弱的现象，然需求仅是转往消费与商务新机采用较多的14吋及15.6吋，面板整体需求仍维持在高峰。
　　而时序控制器(TCON)及面板驱动IC仍是面板最为紧缺的关键IC。其中，缺口超过20%的TCON在第3季因主要供应商将部分产能转供其他产品，及第2季晶圆厂停电影响部分产能，将使第3季供应更为紧俏。而面板驱动IC则因臺系及中系晶圆厂供应大尺吋面板驱动IC (LDDI)的产能于第2季起逐步开出，第3季开始将可弭平部分缺口。
　　第4季预期先前购买NB最积极的欧美国家将大幅解封，学生也逐渐返校，NB需求将开始反转，而晶圆厂在8吋及12吋厂皆开始有新产能开出，预期料件缺口将开始收敛。
萧圣伦
2021-06-30
IC制造
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IC制造
GaN待低成本发酵　开启另一波市场新动能　IDM厂释出产能　臺厂可望受惠
DIGITIMES Research观察，全球功率半导体IDM厂与臺系晶圆代工厂看准5G、AI与电动车市场成长潜力，企图掌握新一波发展契机，已积极发展具宽能隙(wide band gap)特性的第三代半导体，众多材料中氮化镓(GaN)为应用于需高频与高功率的基站射频(RF)元件材料候选名单。
　　GaN产品锁定利基市场出发，例如5G基站RF元件，但供需与价格现处于不平衡状态，需求动能尚未爆发，2019年价格带仍在高点，GaN成本为矽基元件数倍以上。随众多GaN应用逐步酝酿发酵，市场需求动能强劲，带动制造成本压低，预估至2024年GaN成本可望符合市场期待。
　　GaN常见两类基板(substrate)分别为GaN-on-Si与GaN-on-SiC，各有优势与应用领域。GaN-on-Si磊晶长于矽基板上，适用于低功率元件，利用既有硅片即可量产，具成本优势；GaN-on-SiC结合第三代半导体GaN与碳化矽(SiC)宽能隙半导体材料特点，具高功率密度与高导热性、低功耗，适用于高功率基站RF元件。
　　全球已有众多厂商投入GaN RF元件生产，产业链分布以美国、日本IDM厂商为研发基地，臺湾厂商聚焦晶圆代工领域，当国外IDM厂产能满载，有机会寻求委外代工，这将是臺厂切入GaN供应链的机会点，除此之外，部分臺湾厂商切入上游GaN磊晶领域，供给中下游稳定的材料来源。
　　大陆规划五大产业聚落，全面布局第三代半导体以提高自研比例，长三角区域有完整GaN产业链，加速建立迎头赶上国际大厂的实力。美国厂商SiC领头羊Cree对宽能隙半导体展望相当有信心，于2019年宣示未来5年将在制造领域，投入公司历年来最大投资金额10亿美元，预估2024年可达成30倍的SiC与GaN产能。
简琮训
2019-11-21
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