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扇出型封装面对更大面积封装与更多应用 Foundry与OSAT提供多元解决方案因应
DIGITIMES观察，扇出型封装由于高I/O密度、可扩展性强、成本可控，已成为先进封装领域的重要解决方案，臺积电透过InFO体系引领市场，日月光、艾克尔、力成亦对该领域技术推动差异化的重点布局。其中，可关注臺积电发展WMCM解决InFO散热与厚度瓶颈；以及各厂FOPLP翘曲控制、解决高I/O密度...
目录
- 扇出型封装具有低成本与高I/O密度特性 并可依照产品应用定制化封装架构
- 扇出型封装可分为Chip First与RDL First 对应芯片成本敏感度进行选择
- 依照扇出型封装的I/O密度不同 可分别对应不同运算需求之应用产品
- 各厂商积极布局扇出型封装技术 并依照目标市场进行封装架构设计
- 臺积电InFO架构以苹果为主要客户 并积极切入系统级封装
- 日月光FOCoS系列采用Chip Last制程 整合多晶圆厂芯片
- 艾克尔以S系列为基础 发展去矽化技术推动制程微缩并提升I/O密度
- 力成专注推动面板级扇出型封装 目标2026年底量产
- 扇出型封装面积扩展潜力大 然大电流负载应用与电迁移效应仍存在课题
- 因应封装面积需求持续提升 RDL层面积扩展潜力大为重要优势
- 电迁移效应显著以及电容尺吋较大为扇出型封装之发展课题
- 扇出型封装未来重点关注FOPLP与WMCM之进展
- FOPLP可有效提升晶圆利用率 并加速芯片量产
- 臺积电借由WMCM重回平面封装 提升散热效率并缩短处理器与存儲器间的互联延迟
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