FR3频段带动PA新需求　GaN-on-Si射频功率元件有望走向手机与大规模终端市场

DIGITIMES研究团队

移動通讯的持续演进，关键零组件功率放大器(PA)的材料应用领域逐渐明确区分，FR1频段长期由砷化镓异质接面双极性晶體管(GaAs HBT)主导，FR2频段因阵列天线与高整合需求，采用RF CMOS或BiCMOS技术。如今射频业界关注的新场域，是落在介于两者间的FR3频段，此频段同时要求高频率增益与高效率功率输出，对GaAs HBT与RF CMOS而言，皆涉及材料与结构层面的物理条件限制，因此FR3频段的发展，成为GaN-on-Si射频元件能否能进入智能手機与大规模终端市场的关键指标。...

目录
  • GaN on Si以成本优势重新成为射频市场关注的焦点
  • GaAs HBT以效率与产业成熟度长期主导手机PA　然于更高频段渐显极限
    • GaAs HBT的量产与供应链基础稳健
  • FR3带来的新挑战与GaN-on-Si发展潜力
  • 英特尔以300mm单晶整合挑战射频产业格局
    • 格罗方德与Finwave以200mm平臺推进GaN on Si 的产业化
    • Sony Semiconductor Solutions以系统补偿展示GaN-on-Si满足手机规格的可能
  • 结语
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