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高频GaN与BDS技术助力英飞凌掌握高效电力转换技术主导权
随著AI數據中心电力需求持续攀升，电源系统正面临高功率密度、低损耗与高效率的多重挑战。传统矽制程功率元件在高频、高电压环境下的表现逐渐逼近极限，推动第三代半导体GaN在數據中心、工业与航太等领域加速渗透。从产业布局观察，GaN以高频、高效率、高功率密度等特性，已成为下一時代电源转换的重要材料...
目录
- GaN功率元件在多个应用市场进入产线增期
- NVIDIA倡议的HVDC 800V电源传输架构 有望推动GaN功率元件市场持续扩张
- 多家业者推出应用于數據中心的600V与100V GaN元件
- 英飞凌的GaN市占持续成长
- 英飞凌与英诺赛科互控专利侵权 双双胜诉
- 英飞凌的PSU在一次侧采用SiC 二次侧采用GaN
- 英飞凌的BDS将晶體管开关功能整合至单一封装中 简化设计并进一步降低功率损耗
- GaN为电动车应用带来更高效能与更低系统成本
- 英飞凌预估人型机器人市场规模于2050年达1.7萬億美元
- 高频与BDS技术成为英飞凌GaN功率元件重要发展策略
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