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高功率终端应用驱动SiC元件全面进化
随著电动车与高效率工控系统对功率密度与能源转换效率的要求日益严苛，全球SiC功率元件市场进入性能与可靠度并重的新阶段。现阶段650V等级产品设计聚焦于降低导通电...
目录
- SiC加速电动车发展 充电时间缩短、能源效率再进化
- NVIDIA推进800V HVDC 业者布局SiC与GaN元件
- SiC元件性能重点在平衡导通损耗、开关损耗与EMI抑制
- 70mΩ级SiC由欧系领跑高频效能 美日聚焦高温可靠
- 50mΩ级SiC MOSFET 欧系业者凭低损耗技术领先 日系业者以可靠性与寿命长差异化突围
- 平面型成熟稳定、沟槽型效率领先 JFET展现高压潜力
- 沟槽型结构逐渐成为SiC MOSFET主流
- SiC MOSFET大多采用TO与D-PAK封装方式
- SiC各业者技术水平相当 市占变化不大
- 高功率终端应用驱动SiC元件全面进化
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