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高功率终端应用驱动SiC元件全面进化
DIGITIMES研究团队
2025年半导体产业持续受AI、高效能运算与电动车等需求驱动，先进制程与先进封装同步加速演进，材料、基板与制程设备的重要性显著提升。从SEMICON Japan 2025的展示内容可观察到，日本半导体产业专注在先进制程、化合物半导体(包含SiC、GaN等)，以及方形矽基板、混合键合等新型技术上，已成为观察先进制造竞争力的关键指标...
目录
- SiC加速电动车发展 充电时间缩短、能源效率再进化
- NVIDIA推进800V HVDC 业者布局SiC与GaN元件
- SiC元件性能重点在平衡导通损耗、开关损耗与EMI抑制
- 70mΩ级SiC由欧系领跑高频效能 美日聚焦高温可靠
- 50mΩ级SiC MOSFET 欧系业者凭低损耗技术领先 日系业者以可靠性与寿命长差异化突围
- 平面型成熟稳定、沟槽型效率领先 JFET展现高压潜力
- 沟槽型结构逐渐成为SiC MOSFET主流
- SiC MOSFET大多采用TO与D-PAK封装方式
- SiC各业者技术水平相当 市占变化不大
- 高功率终端应用驱动SiC元件全面进化
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