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氮化镓用于Micro LED与HEMT具备庞大商机 跨域合作并朝矽基开发将可改善良率并扩大应用
DIGITIMES研究团队
氮化镓(GaN)做为一种具备宽能隙、高电场强度及高速电子传输特性的半导体材料，在光电及高效能电子应用中具有独特优势，现今已成为新時代Micro LED显示技术和高速射频...
目录
- 显示技术特性比较表
- 两种RGB三色磊晶制程的Micro LED
- Si、GaAs、GaN材料特性列表
- GaN HEMT射频应用在不同基板材料的特性比较表
- 恩智浦GaN-on-SiC HEMT和Si-LDMOS功率放大器规格列表
- 英特尔GaN-on-Si HEMT结构示意图
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