0件商品
碳化矽功率元件朝超接合面结构开发 MOSFET耐压将提升至10,000V
DIGITIMES研究团队
DIGITIMES Research观察，因碳化矽(SiC)功率元件具宽能隙(wide band gap)和高崩溃电场(breakdown voltage)等特性，使SiC功率元件可应用于高功率与高电压的操作环....
目录
- SiC与Si应用有重叠 但可耐受更高频、高功率场景
- 受惠材料特性 SiC在功率应用上较Si更具优势
- SiC在制作元件时的优势为高耐压和低电阻
- SiC功率元件特性适用于工业和交通应用场景
- SiC功率元件应用场景多元 惟成本仍是普及关键
- 1,200V~3,300VSiC元件已进入商用 但仍在导入期
- IGBT兼具BJT与MOSFET耐高压、驱动电流小等优点 但开关速度慢是缺点
- 双极性元件可利用电导率调变降低电阻 缺点是开关速度较慢
- 根据不同电压场景使用矽或碳化矽做半导体元件
- 适用于超高电压场景的SiC超接合面结构正在开发中
- SiC功率元件适用于高电压应用场景 开发适用于3,500V以上应用场景的超接合面结构
相关报告
关键字
加入已选取到「关键字追踪」
使用者登入
服务加入办法
若想立刻加入付费"Research"会员，请洽询
客服专线：
+886-02-87125398。(周一至周五工作日9:00~18:00)
客服信箱：
member@digitimes.com (一个工作日内将回复您的来信)
- 追溯至2000年，洞察产业脉动
- 优质报告，助攻精准决策
- 八大主题，23产业频道涵盖
- 七大全球数据库，掌握市场趋势
