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氧化镓为次時代功率半导体首选 日商NCT及Flosfia发展进程快
DIGITIMES研究团队
DIGITIMES Research观察，氧化镓(Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)适合于高功率、高电压及特殊严苛环境操作，且由于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板及磊晶制程较其他第四类半导体容易，因此Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>供应链发展进程...
目录
- 第四类半导体具高能隙等特性 可应用高功率等终端
- 第四类半导体具更高能隙 适用再生能源等终端类型
- 基板、磊晶及业者陆续投入 Ga2O3供应链开发进程快
- Ga2O3较SiC具高电压 适合超高及高电压终端操作环境
- 工业、太空及电动车终端相继使用Ga2O3半导体
- 日系业者积极扩张Ga2O3供应链开发进程
- Ga2O3半导体发展进程尚有如散热等挑战待解
- 日本功率半导体及空调等业者纷纷入股NCT及Flosfia
- NCT及Flosfia于开展Ga2O3半导体制程方式分歧
- NCT以减薄及封装提升散热 Flosfia散热由异质磊晶增进热导率
- NCT及Flosfia于Ga2O3元件P型半导体制程尚待精进
- Ga2O3发展进程快 日商NCT及Flosfia积极投入制程开发
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